公开(公告)号：CN110870048B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的

公开(公告)号：CN115700035A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180038241.3

申请日：2021-04-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪帕克·卡马拉纳坦 ,  西达斯·克里希南 ,  蔡伏羲 ,  克利斯朵夫·J·切瓦利埃

IPC: H10B63/00 ,  G11C13/00

Abstract: 一种将多状态存储器元件设定为至少一个低功率状态的方法可以包括以下步骤：接收使存储器元件过渡到三个或更多个状态中的一个状态中的命令；向所述存储器元件施加第一信号以使所述存储器元件过渡到所述三个或更多个状态中的所述一个状态中，其中所述三个或更多个状态在所述存储器元件的操作范围的一部分中被均等地隔开；接收使存储器元件过渡到低功率状态中的命令；向所述存储器元件施加第二信号以使所述存储器元件过渡到所述低功率状态中，其中所述低功率状态超出所述存储器元件的所述操作范围的所述部分达大于所述三个或更多个状态中的每个状态之间的空间的量。

公开(公告)号：CN113950752A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080042745.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪帕克·卡马拉纳坦 ,  阿尔卡纳·库马尔 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L45/00

Abstract: 用于神经形态应用的示例性半导体结构可包含覆盖基板材料的第一层。第一层可为或可包含第一氧化物材料。结构可包含设置于邻近第一层的第二层。第二层可为或可包含第二氧化物材料。结构亦可包含沉积覆盖第二层的电极材料。

公开(公告)号：CN118511282A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280087767.5

申请日：2022-12-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿米尔哈桑·努尔巴赫什 ,  拉曼·盖尔 ,  泰勒·谢尔伍德 ,  于澜 ,  罗杰·奎恩 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/861

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括在基板上形成p型含硅材料，该基板包括界定一个或多个特征的第一n型含硅材料。该p型含硅材料可沿着该第一n型含硅材料中所界定的该一个或多个特征的至少一部分延伸。方法可包括移除该p型含硅材料的一部分。可从该一个或多个特征的底部移除该p型含硅材料的该部分。方法可包括提供含硅材料。方法可包括在该基板上沉积第二n型含硅材料。该第二n型含硅材料可填充在该第一n型含硅材料中形成的该一个或多个特征，并且可分隔剩余的p型含硅材料的区域。

公开(公告)号：CN113166943A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980079525.X

申请日：2019-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛捷·托克·加勒特·多莎 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  卢多维克·戈代 ,  朱明伟 ,  拿玛·阿加曼 ,  韦恩·麦克米兰 ,  西达斯·克里希南

IPC: C23C16/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34

Abstract: 本文描述的实施方式涉及半导体处理。更具体地，本文描述的实施方式涉及透明基板的处理。膜沉积在透明基板的背侧上。确定膜的厚度，以使所述膜反射特定波长的光并且大体上防止基板弯曲。膜提供对特定波长的光的相长干涉。

公开(公告)号：CN117616554A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048889.3

申请日：2022-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 里亚·索梅斯赫瓦尔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  于澜 ,  西达斯·克里希南 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了用于形成半导体结构的方法及半导体结构。该方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，该基板包含n晶体管及p晶体管，第一开口在n晶体管之上且第二开口在p晶体管之上；预清洁基板；由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在n晶体管上及p晶体管上沉积硅化钛(TiSi)层；视情况在硅化钛(TiSi)层上沉积第一阻挡层，且从p晶体管选择性地移除第一阻挡层；在n晶体管及p晶体管上的硅化钛(TiSi)层上选择性地形成硅化钼(MoSi)层；在硅化钼(MoSi)层上形成第二阻挡层；及对该半导体结构进行退火。该方法可在处理腔室中进行而不破坏真空。

公开(公告)号：CN110870048A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。