公开(公告)号：CN118077063A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280067902.X

申请日：2022-10-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 米歇尔·库里 ,  里亚·索梅斯赫瓦尔

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 例示性半导体处理方法可以包括将含硅前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可以包括沉积在基板上的含氮成核层。所述方法可包括在含氮成核层的至少第一部分上形成含硅材料。所述方法可包括在含氮成核层的至少第二部分上形成第二材料层。所述方法可包括在第二材料层的一部分上形成屏蔽层。该屏蔽层可覆盖第二材料层的小于或约90％。所述方法可包括经由屏蔽层生长第二材料层。所述方法可包括在屏蔽层上方聚结第二材料层。

公开(公告)号：CN117616554A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048889.3

申请日：2022-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 里亚·索梅斯赫瓦尔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  于澜 ,  西达斯·克里希南 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

Abstract: 描述了用于形成半导体结构的方法及半导体结构。该方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，该基板包含n晶体管及p晶体管，第一开口在n晶体管之上且第二开口在p晶体管之上；预清洁基板；由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在n晶体管上及p晶体管上沉积硅化钛(TiSi)层；视情况在硅化钛(TiSi)层上沉积第一阻挡层，且从p晶体管选择性地移除第一阻挡层；在n晶体管及p晶体管上的硅化钛(TiSi)层上选择性地形成硅化钼(MoSi)层；在硅化钼(MoSi)层上形成第二阻挡层；及对该半导体结构进行退火。该方法可在处理腔室中进行而不破坏真空。

公开(公告)号：CN118120066A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280069205.8

申请日：2022-10-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 米歇尔·库里 ,  里亚·索梅斯赫瓦尔

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 例示性半导体结构可以包括含硅基板。这种结构可以包括上覆于含硅基板上的金属氮化物层。金属氮化物层可以包括多个特征。这种结构可以包括上覆于金属氮化物层的氮化镓结构。

公开(公告)号：CN118103951A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068784.4

申请日：2022-10-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 米歇尔·库里 ,  里亚·索梅斯赫瓦尔

IPC: H01L21/02

Abstract: 例示性半导体结构可以包括含硅基板。这些结构可以包括覆于含硅基板之上的金属氮化物层。这些结构可以包括覆于金属氮化物层之上的氮化镓结构。这些结构可以包括设置在金属氮化物层与氮化镓结构之间的含氧层。

公开(公告)号：CN117242586A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202180097706.2

申请日：2021-04-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迈克尔·丘吉克 ,  里亚·索梅斯赫瓦尔 ,  丹尼尔·戴永 ,  赵莎 ,  米歇尔·库里

IPC: H01L33/32

Abstract: 示例性处理方法包括在基板上形成成核层。可通过物理气相沉积(PVD)形成成核层，且物理气相沉积的特征可在于高于或约为700℃的沉积温度。方法可进一步包括在成核层上形成图案化掩模层。图案化掩模层可包括暴露成核层的部分的开口。可在成核层的暴露部分上形成含镓和氮的区域。在其他实施方式中，成核层可包括由夹层分隔的第一及第二部分，该夹层终止成核层中至少一些位错的传播。