公开(公告)号：CN117616554A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048889.3

申请日：2022-07-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 里亚·索梅斯赫瓦尔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  于澜 ,  西达斯·克里希南 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

摘要： 描述了用于形成半导体结构的方法及半导体结构。该方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，该基板包含n晶体管及p晶体管，第一开口在n晶体管之上且第二开口在p晶体管之上；预清洁基板；由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在n晶体管上及p晶体管上沉积硅化钛(TiSi)层；视情况在硅化钛(TiSi)层上沉积第一阻挡层，且从p晶体管选择性地移除第一阻挡层；在n晶体管及p晶体管上的硅化钛(TiSi)层上选择性地形成硅化钼(MoSi)层；在硅化钼(MoSi)层上形成第二阻挡层；及对该半导体结构进行退火。该方法可在处理腔室中进行而不破坏真空。

公开(公告)号：CN109923661A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780067193.4

申请日：2017-11-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿达西·巴苏 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  段子青 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 描述包含下列步骤的方法：沉积膜材料，以在基板表面中的沟槽中形成初始膜。处理所述膜，以使所述膜膨胀，使所述膜生长超过基板表面。

公开(公告)号：CN117501429A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280042079.7

申请日：2022-05-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 安娜马莱·雷克什马南 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  王飞虎 ,  杨逸雄 ,  李靖珠 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  金相鑫 ,  陈哲擘 ,  沈刚

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本文提供用于处理基板的方法及设备。例如，用于处理基板的方法包括：在基板上的层中界定的特征内沉积硅化物层；使用物理气相沉积经由沉积钼(Mo)或钨(W)中的至少一者，在该特征内的该硅化物层的顶部形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；及使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者，在该金属衬垫层或该金属种晶层中的该至少一者的顶部沉积Mo，而无真空破坏。

公开(公告)号：CN116670813A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180087088.3

申请日：2021-11-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 史蒂文·C·H·洪 ,  本杰明·科伦坡 ,  金明宣 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨勇

IPC分类号： H01L21/822

摘要： 一种形成栅极堆叠结构的方法包括在形成在基板上的半导体结构上的高κ栅极介电层上形成偶极金属层，退火偶极金属层，和移除偶极金属层。偶极金属层包括在高κ栅极介电层中的掺杂剂。

公开(公告)号：CN111758155B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201980014978.4

申请日：2019-03-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 阿米里塔·B·穆利克 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 兹描述产生自对准结构的方法，所述自对准结构包含金属硫系化物。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜，并将含金属膜暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：于基板特征中形成含金属膜；使含金属膜膨胀，以形成柱体；和将柱体暴露于硫系前驱物，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。某些方法包含以下步骤：在基板特征中直接形成金属硫系化物柱体，以形成包含金属硫系化物的自对准结构。亦描述形成自对准通孔的方法。

公开(公告)号：CN117397039A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280037471.2

申请日：2022-05-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨勇 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄 ,  郭剑秋 ,  赛沙德利·甘古利 ,  史蒂文·C.H·洪 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC分类号： H01L29/40

摘要： 在高K金属栅极(HKMG)堆叠上形成牺牲密封层，以抑制氧化剂(例如氧气及水)影响金属栅极堆叠，从而保护器件EOT。该方法整合了包括以下步骤的处理：在基板上形成界面层；在界面层上形成高K金属氧化物层，该高K金属氧化物层包括与界面层相邻的偶极区域，该偶极区域；在高K金属氧化物层上沉积封盖层；及在封盖层上形成牺牲密封层。偶极区域通过将偶极膜的掺杂剂物种(例如，锌(Zn)、钒(V)、钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、钛(Ti)、钽(Ta)、锆(Zr)、铝(Al)、铌(Nb)或其混合物)驱入高K金属氧化物层中来形成偶极区域。

公开(公告)号：CN117296463A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280033120.4

申请日：2022-05-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨勇 ,  库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  若泽·亚历山德罗·罗梅罗 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  莫希特·弗尔吉斯 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 描述了形成存储器装置的方法。形成硅化钼成核层，并且在块体钼间隙填充工艺之前，将基板浸泡在钛前驱物中。在其他实施方式中，在第一工艺循环中形成硅化钼膜，并且在基板暴露于钛前驱物的情况下执行第二工艺循环。在进一步的实施方式中，基板(基板具有在基板上的至少一个特征)暴露于第一钛前驱物及含氮反应物。随后将基板浸泡在第二钛前驱物中，并且随后基板暴露于第一钼前驱物，之后再暴露于硅烷，以在基板的表面上形成硅化钼层。

公开(公告)号：CN117280444A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280033688.6

申请日：2022-05-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 赛沙德利·甘古利 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄 ,  杨勇 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC分类号： H01L21/285

摘要： 描述形成半导体结构的方法。此方法包括清洁基板以形成实质上无氧化物的基板表面、将基板表面暴露至第一钼前驱物、及将基板表面暴露至反应物以在基板表面上选择性沉积第一钼膜。此方法可执行在处理腔室中而不破坏真空。此方法也可包括形成盖层与衬垫的一者或多者及退火此基板。此方法也可包括在基板表面上沉积第二钼膜。

公开(公告)号：CN110088875B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

摘要： 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN112041969A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201880092720.1

申请日：2018-12-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 陈一宏 ,  巫勇 ,  秦嘉政 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  凯尔文·陈

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/02

摘要： 公开了在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的方法。一些实施方式包含形成包含硅或硼中的一或多种的非晶成核层，和在所述成核层上形成金属层。