发明公开
- 专利标题： 提升DRAM字线间的间隙填充性能
-
申请号： CN202280033120.4申请日： 2022-05-04
-
公开(公告)号： CN117296463A公开(公告)日： 2023-12-26
- 发明人: 杨勇 , 库纳尔·巴哈特纳瓜 , 斯里尼瓦·甘迪科塔 , 赛沙德利·甘古利 , 若泽·亚历山德罗·罗梅罗 , 曼德亚姆·斯里拉姆 , 莫希特·弗尔吉斯 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 吴启超
- 优先权： 17/308,577 20210505 US
- 国际申请： PCT/US2022/027590 2022.05.04
- 国际公布： WO2022/235738 EN 2022.11.10
- 进入国家日期： 2023-11-03
- 主分类号： H10B12/00
- IPC分类号： H10B12/00
摘要：
描述了形成存储器装置的方法。形成硅化钼成核层，并且在块体钼间隙填充工艺之前，将基板浸泡在钛前驱物中。在其他实施方式中，在第一工艺循环中形成硅化钼膜，并且在基板暴露于钛前驱物的情况下执行第二工艺循环。在进一步的实施方式中，基板(基板具有在基板上的至少一个特征)暴露于第一钛前驱物及含氮反应物。随后将基板浸泡在第二钛前驱物中，并且随后基板暴露于第一钼前驱物，之后再暴露于硅烷，以在基板的表面上形成硅化钼层。
