公开(公告)号：CN117397039A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280037471.2

申请日：2022-05-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨勇 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄 ,  郭剑秋 ,  赛沙德利·甘古利 ,  史蒂文·C.H·洪 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC: H01L29/40

Abstract: 在高K金属栅极(HKMG)堆叠上形成牺牲密封层，以抑制氧化剂(例如氧气及水)影响金属栅极堆叠，从而保护器件EOT。该方法整合了包括以下步骤的处理：在基板上形成界面层；在界面层上形成高K金属氧化物层，该高K金属氧化物层包括与界面层相邻的偶极区域，该偶极区域；在高K金属氧化物层上沉积封盖层；及在封盖层上形成牺牲密封层。偶极区域通过将偶极膜的掺杂剂物种(例如，锌(Zn)、钒(V)、钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、钛(Ti)、钽(Ta)、锆(Zr)、铝(Al)、铌(Nb)或其混合物)驱入高K金属氧化物层中来形成偶极区域。

公开(公告)号：CN117296463A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280033120.4

申请日：2022-05-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨勇 ,  库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  赛沙德利·甘古利 ,  若泽·亚历山德罗·罗梅罗 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  莫希特·弗尔吉斯 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC: H10B12/00

Abstract: 描述了形成存储器装置的方法。形成硅化钼成核层，并且在块体钼间隙填充工艺之前，将基板浸泡在钛前驱物中。在其他实施方式中，在第一工艺循环中形成硅化钼膜，并且在基板暴露于钛前驱物的情况下执行第二工艺循环。在进一步的实施方式中，基板(基板具有在基板上的至少一个特征)暴露于第一钛前驱物及含氮反应物。随后将基板浸泡在第二钛前驱物中，并且随后基板暴露于第一钼前驱物，之后再暴露于硅烷，以在基板的表面上形成硅化钼层。

公开(公告)号：CN117280444A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202280033688.6

申请日：2022-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赛沙德利·甘古利 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄 ,  杨勇 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC: H01L21/285

Abstract: 描述形成半导体结构的方法。此方法包括清洁基板以形成实质上无氧化物的基板表面、将基板表面暴露至第一钼前驱物、及将基板表面暴露至反应物以在基板表面上选择性沉积第一钼膜。此方法可执行在处理腔室中而不破坏真空。此方法也可包括形成盖层与衬垫的一者或多者及退火此基板。此方法也可包括在基板表面上沉积第二钼膜。

公开(公告)号：CN114551230A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111371028.2

申请日：2021-11-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨勇 ,  史蒂文·C·H·洪

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种在形成在衬底上的半导体结构上形成高κ介电帽层的方法包括以下步骤：在半导体结构上沉积高κ介电帽层；在高κ介电帽层上形成牺牲硅帽层；执行后帽退火工艺以硬化和致密化所沉积的高κ介电帽层；和去除牺牲硅帽层。

公开(公告)号：CN119731368A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059877.5

申请日：2023-08-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杨勇 ,  吐尔逊·艾丽胡玛尔 ,  约格什·夏尔马 ,  库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  莫希斯·维尔格瑟

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开案的实施例提供具有减少的电阻率的以保形方式沉积的钼膜及其形成方法。方法包含：通过使基板表面暴露于含钼前驱物及成核反应物而直接在基板表面上的介电层上形成成核层，以及在成核层上以保形方式沉积钼膜。本公开案的另一种方面涉及一种作为间隙填充工艺的部分的方法，包括：直接在一或更多个高深宽比间隙特征(包含垂直间隙特征及/或水平间隙特征)内的介电区域上形成成核层，以及在成核层上以保形方式沉积钼膜以填充特征。

公开(公告)号：CN116490958A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180077479.7

申请日：2021-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  李路平 ,  杨勇 ,  赛沙德利·甘古利

IPC: H01L21/285

Abstract: 一种填充半导体结构中的特征的方法包括通过原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)中的一者在该特征中形成阻挡层；其中该阻挡层为钴(Co)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)加Mo、钛(Ti)、钛铝碳化物(TiAlC)或氮化钛(TiN)中的一者；及通过ALD或CVD中的一者在特征中及在阻挡层之上形成金属层；其中该金属层为铝(Al)、Co、Mo、钌(Ru)或钨(W)中的一者。

公开(公告)号：CN116670813A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180087088.3

申请日：2021-11-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 史蒂文·C·H·洪 ,  本杰明·科伦坡 ,  金明宣 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨勇

IPC: H01L21/822

Abstract: 一种形成栅极堆叠结构的方法包括在形成在基板上的半导体结构上的高κ栅极介电层上形成偶极金属层，退火偶极金属层，和移除偶极金属层。偶极金属层包括在高κ栅极介电层中的掺杂剂。

公开(公告)号：CN117378293A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280036807.3

申请日：2022-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨勇 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔

IPC: H10B43/35

Abstract: 一种存储器器件，包含：交替的氧化硅层及字线层的堆叠；字线层的每一者包含与氧化硅层相邻的偶极区域，这些偶极区域包含偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物，或上述的组合。偶极区域是通过将偶极膜驱入字线层的栅极氧化物层中来形成的，并且移除任何残留的偶极膜。

公开(公告)号：CN116918070A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280013713.4

申请日：2022-02-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨勇 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  史蒂文·C.H·洪 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  杨逸雄

IPC: H01L29/49

Abstract: 一种在基板上的金属栅极堆叠包括：在基板上的界面层；在界面层上的高K金属氧化物层，高κ金属氧化物层包括邻接界面层的偶极区，偶极区包括铌(Nb)；在高κ金属氧化物层上的高κ金属氧化物盖层；在高κ金属氧化物盖层之上的正金属氧化物半导体(PMOS)功函数材料；及在PMOS功函数材料之上的栅极电极。通过驱使Nb基膜的Nb物种进入高K金属氧化物层以形成偶极区而形成偶极区。