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公开(公告)号：CN112292755B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980039180.5
申请日：2019-06-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。
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公开(公告)号：CN112292755A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980039180.5
申请日：2019-06-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111212931A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066232.3
申请日：2018-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 描述了用来处理一或多个晶片的装置及方法。围绕旋转轴用圆形配置布置了多个处理站。具有限定旋转轴的可旋转中心基部、从所述中心基部延伸的至少两个支撑臂、及所述支撑臂中的每个上的加热器的支撑组件被定位为与所述处理站相邻，使得可在各种处理站之间移动所述加热器以执行一或多种处理条件。
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公开(公告)号：CN113463066B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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公开(公告)号：CN116918070A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280013713.4
申请日：2022-02-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/49
Abstract: 一种在基板上的金属栅极堆叠包括：在基板上的界面层；在界面层上的高K金属氧化物层，高κ金属氧化物层包括邻接界面层的偶极区，偶极区包括铌(Nb)；在高κ金属氧化物层上的高κ金属氧化物盖层；在高κ金属氧化物盖层之上的正金属氧化物半导体(PMOS)功函数材料；及在PMOS功函数材料之上的栅极电极。通过驱使Nb基膜的Nb物种进入高K金属氧化物层以形成偶极区而形成偶极区。
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公开(公告)号：CN117296463A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280033120.4
申请日：2022-05-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨勇 , 库纳尔·巴哈特纳瓜 , 斯里尼瓦·甘迪科塔 , 赛沙德利·甘古利 , 若泽·亚历山德罗·罗梅罗 , 曼德亚姆·斯里拉姆 , 莫希特·弗尔吉斯 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄
IPC: H10B12/00
Abstract: 描述了形成存储器装置的方法。形成硅化钼成核层，并且在块体钼间隙填充工艺之前，将基板浸泡在钛前驱物中。在其他实施方式中，在第一工艺循环中形成硅化钼膜，并且在基板暴露于钛前驱物的情况下执行第二工艺循环。在进一步的实施方式中，基板(基板具有在基板上的至少一个特征)暴露于第一钛前驱物及含氮反应物。随后将基板浸泡在第二钛前驱物中，并且随后基板暴露于第一钼前驱物，之后再暴露于硅烷，以在基板的表面上形成硅化钼层。
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公开(公告)号：CN113463066A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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