公开(公告)号：CN113463066B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202110343173.3

申请日：2021-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  薇·V·唐 ,  郭剑秋 ,  刘雯伊 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  何玉民

IPC: C23C16/28 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。

公开(公告)号：CN113463066A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110343173.3

申请日：2021-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  薇·V·唐 ,  郭剑秋 ,  刘雯伊 ,  杨逸雄 ,  杰奎琳·S·阮奇 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  斯里尼瓦斯·甘迪科塔 ,  何玉民

IPC: C23C16/28 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。