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公开(公告)号：CN111989762B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201980026264.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H10D30/62 , H10D30/01 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111512430A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082786.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 刘雯伊
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 描述了优先于介电表面而在导电表面上选择性沉积阻挡层的方法。在一些实施方式中，将羧酸暴露于基板以选择性地形成阻挡层。在一些实施方式中，将酰肼暴露于基板，以选择性形成阻挡层。在一些实施方式中，将烷基膦酸暴露于基板，以选择性地形成阻挡层。在一些实施方式中，原位形成烷基膦酸且将该烷基膦酸暴露至基板。在一些实施方式中，在形成阻挡层之后，在介电表面上选择性地沉积层。
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公开(公告)号：CN113463066B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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公开(公告)号：CN111512430B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880082786.2
申请日：2018-12-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 刘雯伊
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 描述了优先于介电表面而在导电表面上选择性沉积阻挡层的方法。在一些实施方式中，将羧酸暴露于基板以选择性地形成阻挡层。在一些实施方式中，将酰肼暴露于基板，以选择性形成阻挡层。在一些实施方式中，将烷基膦酸暴露于基板，以选择性地形成阻挡层。在一些实施方式中，原位形成烷基膦酸且将该烷基膦酸暴露至基板。在一些实施方式中，在形成阻挡层之后，在介电表面上选择性地沉积层。
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公开(公告)号：CN113463066A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110343173.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在不使用阻挡层的情况下沉积金属膜的原位方法。一些实施方式包括形成包括硅或硼中的一种或多种的非晶成核层并且在所述成核层上形成金属层。这些工艺在工艺之间没有空气隔断的情况下执行。
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公开(公告)号：CN111989762A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026264.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。
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