公开(公告)号：CN112292755B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201980039180.5

申请日：2019-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 哈里·庞内坎蒂 ,  田中努 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  德米特里·季利诺 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  马里奥·D·西尔韦蒂

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。

公开(公告)号：CN112292755A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201980039180.5

申请日：2019-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 哈里·庞内坎蒂 ,  田中努 ,  曼德亚姆·斯里拉姆 ,  德米特里·季利诺 ,  桑吉夫·巴鲁贾 ,  马里奥·D·西尔韦蒂

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。