公开(公告)号：CN119585463A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380053258.5

申请日：2023-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 兰德·哈达丁 ,  库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  莫希斯·维尔格瑟 ,  若泽·亚历山德罗·罗梅罗 ,  阿尼鲁德·谢克瓦特

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/515 ,  C23C14/04 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14

Abstract: 本文说明用于选择性沉积的方法。此方法包括在基板表面的第一部分上沉积氧化物，基板表面选自由金属表面、金属氮化物表面与金属硅化物表面组成的群组。此方法进一步包括在基板表面的第二部分上选择性沉积钼膜，所述第二部分不具有沉积在所述第二部分上的氧化物。

公开(公告)号：CN117425746A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280039759.3

申请日：2022-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  莫希斯·维尔格瑟

IPC: C23C16/455

Abstract: 公开了一种展示较慢生长速率的沉积方法。本公开的一些实施方式提供了利用含卤化物生长抑制剂作为与金属卤化物前驱物和反应物的共反应物的CVD方法。本公开的一些实施方式涉及CVD和ALD方法，该CVD和ALD方法包括将基板表面暴露于包括含卤化物生长抑制剂的预处理。

公开(公告)号：CN119731368A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059877.5

申请日：2023-08-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  杨逸雄 ,  杨勇 ,  吐尔逊·艾丽胡玛尔 ,  约格什·夏尔马 ,  库纳尔·巴哈特纳瓜 ,  莫希斯·维尔格瑟

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开案的实施例提供具有减少的电阻率的以保形方式沉积的钼膜及其形成方法。方法包含：通过使基板表面暴露于含钼前驱物及成核反应物而直接在基板表面上的介电层上形成成核层，以及在成核层上以保形方式沉积钼膜。本公开案的另一种方面涉及一种作为间隙填充工艺的部分的方法，包括：直接在一或更多个高深宽比间隙特征(包含垂直间隙特征及/或水平间隙特征)内的介电区域上形成成核层，以及在成核层上以保形方式沉积钼膜以填充特征。