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公开(公告)号：CN119895539A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067635.0
申请日：2023-08-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉迪普·K·苏布拉满颜
IPC: H01L21/302 , H01L21/265
Abstract: 本公开案的实施例关于用于减少基板中的面外畸变(OPD)的技术和装置，以及控制OPD的效应和对基板进行修改以校正OPD对在基板上执行的后续基板处理操作的影响。本案实施例采用新颖技术来降低基板中的OPD，而无需添加或改质将在后续基板制造工艺中产生问题的基板部分。
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公开(公告)号：CN119923709A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380068022.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉迪普·K·苏布拉满颜
IPC: H01L21/302 , H01L21/02 , H01L21/3115 , H01L21/66
Abstract: 本公开案的实施例涉及用于减少基板中的面外畸变（OPD）的技术和装置，以及控制OPD的效果和对基板进行改质以校正OPD对在基板上执行的后续基板处理操作的影响。本发明实施例采用新颖技术来降低基板中的OPD，而无需添加或改质基板的将在后续基板制造工艺中产生问题的部分。
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公开(公告)号：CN119278670A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380046358.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李祥宇 , 普拉迪普·K·苏布拉满颜
Abstract: 三维NAND闪存存储器结构可包括从硅基板参考（reference）直接生长的外延硅固体通道核。交替的氧化物‑氮化物材料层可形成为堆叠，且通道孔可被蚀刻穿过材料层而向下延伸到硅基板。隧穿层以可围绕通道孔形成以接触交替材料层，且外延硅核可从硅基板生长向上穿过通道孔。在一些实现方式中，支撑结构可形成在通道孔中或存储器阵列的狭缝中，以在外延硅核生长穿过通道时提供物理支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117378293A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280036807.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨勇 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 普拉迪普·K·苏布拉满颜 , 斯里尼瓦·甘迪科塔
IPC: H10B43/35
Abstract: 一种存储器器件，包含：交替的氧化硅层及字线层的堆叠；字线层的每一者包含与氧化硅层相邻的偶极区域，这些偶极区域包含偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物，或上述的组合。偶极区域是通过将偶极膜驱入字线层的栅极氧化物层中来形成的，并且移除任何残留的偶极膜。
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公开(公告)号：CN119896061A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066897.5
申请日：2023-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李祥宇 , 普拉迪普·K·苏布拉满颜 , 松下贵哉 , 宣昌佑
Abstract: 一种三维(3D)NAND存储器结构可包括以垂直堆叠布置的材料层，所述垂直堆叠包括交替的水平绝缘层及字线层。材料层可经蚀刻以形成着陆垫。垂直字线可穿过着陆垫下面的一或多个水平字线层延伸。垂直字线可导电连接到顶部水平字线，并且垂直字线可与垂直字线在顶部水平字线下面延伸穿过的水平字线的任一者绝缘。衬垫亦可在着陆垫处的顶部水平字符线上方形成。
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公开(公告)号：CN119732199A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380063604.8
申请日：2023-08-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林三贵 , 宣昌佑 , 普拉迪普·K·苏布拉满颜
IPC: H10B41/35 , H10B43/35 , H10B41/27 , H10B43/27 , H01L21/768
Abstract: 三维（3D）NAND存储器结构可以包括在硅基板上以竖直堆叠进行布置的材料的交替层（例如，交替的氧化物及氮化物层）。随后可以移除交替的氮化物层，并且可以利用导电材料填充凹部，以形成用于存储器阵列的字线。为了避免传统湿式蚀刻产生的硅副产物夹断这些凹部，可以替代地使用干式蚀刻来移除亚硝酸盐层。为了保护硅基板，可以在进行干式蚀刻之前，在狭缝的底部处沉积第一绝缘层来覆盖暴露的硅基板。在施加第二绝缘层以覆盖交替的氧化物/氮化物层之后，定向蚀刻可以穿透两个绝缘层，以在施加填充于狭缝中的固体材料之前再次暴露硅基板。
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公开(公告)号：CN119366279A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046414.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李祥宇 , 普拉迪普·K·苏布拉满颜
Abstract: 三维NAND闪存结构可包括从硅基板参考(silicon substrate reference)直接生长的外延硅的固体沟道核。交替的氧化物‑氮化物材料层可形成为堆叠，且沟道孔可经蚀刻穿过材料层，沟道孔向下延伸到硅基板。可围绕沟道孔形成隧道层以接触交替材料层，且可从硅基板生长外延硅核向上穿过沟道孔。在一些实施中，支撑结构可形成在存储器阵列的沟道孔中或狭缝中，以在外延硅核生长穿过沟道时提供物理(physical)支撑。
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公开(公告)号：CN117223088A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280031508.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 普拉迪普·K·苏布拉满颜 , 肖恩·S·康 , 索尼·瓦吉斯
IPC: H01L21/302
Abstract: 提供减少半导体晶片的应力的方法。独立晶片的晶片图是使用计量工具产生的。随后，使用空间频率标度将晶片图转换为功率谱密度(PSD)。然后，弯曲的基本分量用沉积在晶片背侧上的均匀膜(例如氮化硅(SiN))进行补偿。
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