公开(公告)号：CN119896061A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066897.5

申请日：2023-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李祥宇 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜 ,  松下贵哉 ,  宣昌佑

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H10B41/50 ,  H10B43/50

Abstract: 一种三维(3D)NAND存储器结构可包括以垂直堆叠布置的材料层，所述垂直堆叠包括交替的水平绝缘层及字线层。材料层可经蚀刻以形成着陆垫。垂直字线可穿过着陆垫下面的一或多个水平字线层延伸。垂直字线可导电连接到顶部水平字线，并且垂直字线可与垂直字线在顶部水平字线下面延伸穿过的水平字线的任一者绝缘。衬垫亦可在着陆垫处的顶部水平字符线上方形成。

公开(公告)号：CN119732199A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380063604.8

申请日：2023-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林三贵 ,  宣昌佑 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 三维（3D）NAND存储器结构可以包括在硅基板上以竖直堆叠进行布置的材料的交替层（例如，交替的氧化物及氮化物层）。随后可以移除交替的氮化物层，并且可以利用导电材料填充凹部，以形成用于存储器阵列的字线。为了避免传统湿式蚀刻产生的硅副产物夹断这些凹部，可以替代地使用干式蚀刻来移除亚硝酸盐层。为了保护硅基板，可以在进行干式蚀刻之前，在狭缝的底部处沉积第一绝缘层来覆盖暴露的硅基板。在施加第二绝缘层以覆盖交替的氧化物/氮化物层之后，定向蚀刻可以穿透两个绝缘层，以在施加填充于狭缝中的固体材料之前再次暴露硅基板。