公开(公告)号：CN119732199A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380063604.8

申请日：2023-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林三贵 ,  宣昌佑 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H01L21/768

Abstract: 三维（3D）NAND存储器结构可以包括在硅基板上以竖直堆叠进行布置的材料的交替层（例如，交替的氧化物及氮化物层）。随后可以移除交替的氮化物层，并且可以利用导电材料填充凹部，以形成用于存储器阵列的字线。为了避免传统湿式蚀刻产生的硅副产物夹断这些凹部，可以替代地使用干式蚀刻来移除亚硝酸盐层。为了保护硅基板，可以在进行干式蚀刻之前，在狭缝的底部处沉积第一绝缘层来覆盖暴露的硅基板。在施加第二绝缘层以覆盖交替的氧化物/氮化物层之后，定向蚀刻可以穿透两个绝缘层，以在施加填充于狭缝中的固体材料之前再次暴露硅基板。

公开(公告)号：CN117256050A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202280032510.X

申请日：2022-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林三贵 ,  普拉迪普·苏布拉满颜

IPC: H01L29/06

Abstract: 本文提供多种形成具有减少的源极/漏极接触电阻的纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。一些实施方式中，一种形成FET器件的法包括：蚀刻该纳米片FET器件的纳米片堆叠，而形成多个第一源极/漏极区域以及多个第二源极/漏极区域，该纳米片堆叠包括多个纳米片沟道层与多个牺牲纳米片层的交替层；经由选择性硅化工艺，在所述纳米片沟道层的端部处于该多个第一源极/漏极区域中沉积硅化物层，以控制在所述第一源极/漏极区域之间的所述纳米片沟道层的长度；以及执行金属填充工艺，而填充该多个第一源极/漏极区域，其中该金属填充物从最下方的纳米片沟道层延伸至最上方的纳米片沟道层之上，而助于该减少的源极/漏极接触电阻。