公开(公告)号：CN119173977A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380040360.1

申请日：2023-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普拉迪普·苏布拉满颜

IPC: H01J37/302 ,  H01J37/317

Abstract: 一种方法，可包括生成基板的残余曲率图，该残余曲率图基于对基板的测量。所述方法可包括基于残余曲率图来生成剂量图，该剂量图用于使用图案化能量源来处理基板。所述方法可包括应用剂量图以使用图案化能量源处理基板，其中剂量图是通过执行以多个不同扭转角将基板多次暴露至图案化能量源来应用的。

公开(公告)号：CN119156686A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380038858.4

申请日：2023-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普拉迪普·苏布拉满颜

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/317

Abstract: 一种方法可包括生成基板的残余曲率图，残余曲率图是基于对基板的表面的测量。所述方法可包括：基于残余曲率图来生成剂量图，剂量图是用于使用图案化能量源来处理基板；以及应用剂量图以使用图案化能量源来处理基板。

公开(公告)号：CN117256050A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202280032510.X

申请日：2022-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林三贵 ,  普拉迪普·苏布拉满颜

IPC: H01L29/06

Abstract: 本文提供多种形成具有减少的源极/漏极接触电阻的纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。一些实施方式中，一种形成FET器件的法包括：蚀刻该纳米片FET器件的纳米片堆叠，而形成多个第一源极/漏极区域以及多个第二源极/漏极区域，该纳米片堆叠包括多个纳米片沟道层与多个牺牲纳米片层的交替层；经由选择性硅化工艺，在所述纳米片沟道层的端部处于该多个第一源极/漏极区域中沉积硅化物层，以控制在所述第一源极/漏极区域之间的所述纳米片沟道层的长度；以及执行金属填充工艺，而填充该多个第一源极/漏极区域，其中该金属填充物从最下方的纳米片沟道层延伸至最上方的纳米片沟道层之上，而助于该减少的源极/漏极接触电阻。