公开(公告)号：CN119896061A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380066897.5

申请日：2023-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李祥宇 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜 ,  松下贵哉 ,  宣昌佑

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H10B41/50 ,  H10B43/50

Abstract: 一种三维(3D)NAND存储器结构可包括以垂直堆叠布置的材料层，所述垂直堆叠包括交替的水平绝缘层及字线层。材料层可经蚀刻以形成着陆垫。垂直字线可穿过着陆垫下面的一或多个水平字线层延伸。垂直字线可导电连接到顶部水平字线，并且垂直字线可与垂直字线在顶部水平字线下面延伸穿过的水平字线的任一者绝缘。衬垫亦可在着陆垫处的顶部水平字符线上方形成。

公开(公告)号：CN119366279A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380046414.5

申请日：2023-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李祥宇 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H01L21/02

Abstract: 三维NAND闪存结构可包括从硅基板参考(silicon substrate reference)直接生长的外延硅的固体沟道核。交替的氧化物‑氮化物材料层可形成为堆叠，且沟道孔可经蚀刻穿过材料层，沟道孔向下延伸到硅基板。可围绕沟道孔形成隧道层以接触交替材料层，且可从硅基板生长外延硅核向上穿过沟道孔。在一些实施中，支撑结构可形成在存储器阵列的沟道孔中或狭缝中，以在外延硅核生长穿过沟道时提供物理(physical)支撑。

公开(公告)号：CN119278670A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380046358.5

申请日：2023-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李祥宇 ,  普拉迪普·K·苏布拉满颜

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/10 ,  H10B43/50

Abstract: 三维NAND闪存存储器结构可包括从硅基板参考（reference）直接生长的外延硅固体通道核。交替的氧化物‑氮化物材料层可形成为堆叠，且通道孔可被蚀刻穿过材料层而向下延伸到硅基板。隧穿层以可围绕通道孔形成以接触交替材料层，且外延硅核可从硅基板生长向上穿过通道孔。在一些实现方式中，支撑结构可形成在通道孔中或存储器阵列的狭缝中，以在外延硅核生长穿过通道时提供物理支撑。