公开(公告)号：CN110088875B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。

公开(公告)号：CN110088875A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780077670.5

申请日：2017-11-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  凯尔文·陈 ,  卢欣亮 ,  斯里尼瓦·甘迪科塔 ,  吴勇 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  基亚·成·蔡

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。