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公开(公告)号：CN119631162A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380055816.1
申请日：2023-08-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沈泽清 , 王新科 , 苏米特·辛格·罗伊 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 约翰·苏迪约诺
IPC: H01L21/033 , H01L21/32
Abstract: 描述了选择性沉积含碳层的方法。示例性处理方法可包括用臭氧或过氧化氢中的一个或多个处理包括含碳表面和含硅表面的基板以钝化所述含硅表面。在一个或多个实施方式中，随后通过在基板上方流动第一前驱物来在含碳表面上而非在含硅表面上选择性沉积含碳层，以在含碳表面上而非在含硅表面上形成初始含碳膜的第一部分。方法可包括从基板移除第一前驱物流出物。第二前驱物可随后在基板上方流动以与初始含碳层的第一部分反应。方法可包括从基板移除第二前驱物流出物。
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公开(公告)号：CN113957415A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110824340.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 托马斯·约瑟夫·奈斯利 , 凯尔文·陈 , 瑞加娜·杰曼尼·弗雷德 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏米特·辛格·罗伊 , 马杜尔·萨尚
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , B05D1/00 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
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公开(公告)号：CN117460860A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280040321.7
申请日：2022-06-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 辰丹·达斯 , 苏米特·辛格·罗伊 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 约翰·苏迪约诺 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 马克·萨利
IPC: C23C16/30 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/455
Abstract: 描述了过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。本文也描述了用于将过渡金属氧化物膜转化为过渡金属二硫族化物膜的方法。基板被暴露于前驱物及硫族化物反应物以形成过渡金属二硫族化物膜。这些暴露可以是顺序的或同时的。
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公开(公告)号：CN115380379A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202180028127.2
申请日：2021-04-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 越泽武仁 , 戚波 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 王慧圓 , 苏米特·辛格·罗伊
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法以形成具有超过50层的存储器单元膜堆叠，作为3D‑NAND单元的替代物。存储器堆叠包括第一材料层及第二材料层的交替层。
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公开(公告)号：CN119317998A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380045258.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 王新科 , 沈泽清 , 苏米特·辛格·罗伊 , 阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 唐杰丛 , 约翰·苏迪约诺 , 马克·萨利
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 描述了沉积保形含碳间隔件层的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在经图案化表面及基板之上流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。方法可包括自基板移除第一前驱物流出物。可接着使第二前驱物在基板之上流动以与初始含碳膜的第一部分反应。方法可包括自基板移除第二前驱物流出物。方法可包括蚀刻基板以移除含碳膜的一部分并暴露经图案化表面的顶表面且在经图案化表面之间暴露基板。经图案化表面可为EUV光刻胶图案，且含碳膜可形成在侧壁上并充当间隔件以减小临界尺寸(CD)。含碳膜可为纳米结构的侧壁充当蚀刻保护层或抗蚀刻层。当不执行蚀刻时，含碳膜可充当衬里材料。
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公开(公告)号：CN110088875B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201780077670.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。
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公开(公告)号：CN113711357A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080030750.7
申请日：2020-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L21/768
Abstract: 本文提供了用于形成多个非易失性储存单元的方法和设备。在某些实施方式中，方法例如包括形成多个非易失性储存单元，包括在基板上形成金属层交替的堆叠，金属层包括第一金属层和不同于第一金属层的第二金属层；去除第一金属层以在第二金属层的交替层之间形成空间；以及沉积第一材料层以部分地填充空间以在其中留有气隙或沉积第二材料层以填充空间这两步骤之一。
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公开(公告)号：CN119895076A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067348.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉蒂卡·巴贾 , 苏普里亚·戈什 , 苏米特·辛格·罗伊 , 达尔尚·撒卡尔 , 戈皮·钱德兰·拉马钱德兰 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 阿卜希吉特·B·马尔利克
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/50 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送到所述高纵横比开口。所述前驱物和所述含氧化合物循环地交替来填充所述高纵横比开口。
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公开(公告)号：CN113957414A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110824339.3
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 马克·约瑟夫·萨利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 托马斯·约瑟夫·奈斯利 , 凯尔文·陈 , 瑞加娜·杰曼尼·弗雷德 , 戴维·迈克尔·汤普森 , 苏米特·辛格·罗伊 , 马杜尔·萨尚
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , B05D1/00 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式包括使用干法沉积工艺沉积金属氧光刻胶的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：用包括第一金属前驱物蒸气和第一氧化剂蒸气的第一气相工艺在所述基板上形成第一金属氧膜；和用包括第二金属前驱物蒸气和第二氧化剂蒸气的第二气相工艺在所述第一金属氧膜之上形成第二金属氧膜。
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公开(公告)号：CN110088875A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780077670.5
申请日：2017-11-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。
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