公开(公告)号：CN117178073A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280029860.0

申请日：2022-04-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 钱丹·克雷·巴里克 ,  约翰·苏迪约诺 ,  辰丹·达斯 ,  杨玮盈 ,  马克·沙丽 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  刘风全

IPC: C23C16/18

Abstract: 本发明描述了钼(0)及配位络合物。描述了在基板上沉积含钼膜的方法。将基板暴露于钼前驱物及反应物以形成含钼膜(例如元素钼、氧化钼、碳化钼、硅化钼、二硫化钼、氮化钼)。这些暴露可为顺序的或同时的。

公开(公告)号：CN117460860A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040321.7

申请日：2022-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  马克·萨利

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455

Abstract: 描述了过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。本文也描述了用于将过渡金属氧化物膜转化为过渡金属二硫族化物膜的方法。基板被暴露于前驱物及硫族化物反应物以形成过渡金属二硫族化物膜。这些暴露可以是顺序的或同时的。

公开(公告)号：CN119174301A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380038663.X

申请日：2023-05-09

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  苏普里亚·戈什 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  唐洁聪 ,  穆罕默德·朱维·M

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H01L21/285

Abstract: 描述过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。亦描述用于将过渡金属氧化物膜转化成过渡金属二硫族化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物及氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫族化物前驱物以形成过渡金属二硫族化物膜。

公开(公告)号：CN118414449A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084026.1

申请日：2022-12-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  苏普里亚·戈什 ,  唐洁聪 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  马克·萨利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30

Abstract: 叙述了过渡金属二硫化物膜和用于在基板上沉积过渡金属二硫化物膜的方法。还叙述了用于将过渡金属氧化物膜转换成过渡金属二硫化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物和氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫属化物前驱物以形成过渡金属二硫化物膜。