公开(公告)号：CN119174301A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202380038663.X

申请日：2023-05-09

Applicant: 应用材料公司 ,  新加坡国立大学

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  苏普里亚·戈什 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  唐洁聪 ,  穆罕默德·朱维·M

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H01L21/285

Abstract: 描述过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。亦描述用于将过渡金属氧化物膜转化成过渡金属二硫族化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物及氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫族化物前驱物以形成过渡金属二硫族化物膜。

公开(公告)号：CN119895076A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067348.X

申请日：2023-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吉蒂卡·巴贾 ,  苏普里亚·戈什 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  戈皮·钱德兰·拉马钱德兰 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  阿卜希吉特·B·马尔利克

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送到所述高纵横比开口。所述前驱物和所述含氧化合物循环地交替来填充所述高纵横比开口。

公开(公告)号：CN118414449A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280084026.1

申请日：2022-12-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 辰丹·达斯 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  苏普里亚·戈什 ,  唐洁聪 ,  约翰·苏迪约诺 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  马克·萨利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30

Abstract: 叙述了过渡金属二硫化物膜和用于在基板上沉积过渡金属二硫化物膜的方法。还叙述了用于将过渡金属氧化物膜转换成过渡金属二硫化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物和氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫属化物前驱物以形成过渡金属二硫化物膜。