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公开(公告)号：CN114402413B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN114402413A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064780.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容涉及用于处理腔室及处理腔室部件的保护性多层涂层。在一个实施方式中，多层保护性涂层包括金属氮化层及设置于其上的氧化层。在一个实施方式中，多层保护性涂层进一步包括氮氧化夹层和/或氟氧化层。多层保护性涂层可形成于金属合金或陶瓷基板上，例如在电子装置制造的领域中，例如半导体装置制造使用的处理腔室或处理腔室部件。在一个实施方式中，金属氮化层及氧化层通过原子层沉积沉积于基板上。
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公开(公告)号：CN114375348A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080062730.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 普莉娜·松特海利亚·古拉迪雅 , 安库尔·凯达姆
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本揭露内容的实施方式提供在工艺腔室表面和/或部件上制造或以其他方式形成包含氧化铈的保护涂层的方法，工艺腔室表面和/或部件例如是暴露于工艺腔室内的等离子体的表面。在一个或多个实施方式中，在工艺腔室内形成保护涂层的方法包括在原子层沉积(ALD)工艺期间将氧化铈层沉积在腔室表面或腔室部件上。ALD工艺包括在一个ALD周期中，将腔室表面或腔室部件依次暴露于铈前驱物、净化气体、氧化剂和净化气体，以及重复ALD周期以沉积氧化铈层。
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公开(公告)号：CN108779568B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
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公开(公告)号：CN108885979A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
CPC classification number: C25D3/44 , C25D3/66 , C25D5/022 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/04 , H01L21/67023
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885979B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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公开(公告)号：CN114424676A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080066006.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 加亚特里·纳图 , 吉蒂卡·巴贾 , 普莉娜·古拉迪雅 , 达尔尚·撒卡尔 , 大卫·芬威克 , 何晓明 , 桑尼·塞帕埃莱 , 珍妮弗·孙 , 拉尹库曼·塔努 , 杰弗里·赫金斯 , 卡鲁帕萨米·穆图卡马特兹 , 阿伦·达雅兰
IPC: H05F1/02 , C23C16/06 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/677 , B25J18/00 , B25J19/00
Abstract: 在一些实施方式中揭露了一种用超薄电气耗散材料涂覆以提供从涂层到接地的耗散路径的腔室部件(例如终端受动器主体)。所述涂层可以经由化学前驱物沉积来沉积以用高成本效益的方式提供均匀、保形、且不含孔隙的涂层。在所述腔室部件包括终端受动器主体的一个实施方式中，所述终端受动器主体可以进一步包括可替换接触垫以用于支撑基板，且接触垫头的接触表面也可以用电气耗散材料涂覆。
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公开(公告)号：CN113302334A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980089394.3
申请日：2019-11-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉蒂卡·巴贾 , 达尔尚·撒卡尔 , 普莉娜·松特海利亚·古拉迪雅 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 大卫·布里兹
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/448
Abstract: 本发明的多个实施方式一般涉及在基板上形成湿气和氧气阻挡膜的方法。使用原子层沉积在原子层沉积腔室中在基板上沉积阻挡层以减小所述基板的水蒸汽透过率和氧气透过率。所述阻挡层在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积。可以在沉积所述阻挡层之前可选地等离子体处理所述基板以增强所述阻挡层对所述基板的粘附力。可以在所述阻挡层上沉积一个或多个附加层，诸如包含聚合物的层，以进一步降低所述水蒸汽透过率和/或所述氧气透过率。
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公开(公告)号：CN119895076A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380067348.X
申请日：2023-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉蒂卡·巴贾 , 苏普里亚·戈什 , 苏米特·辛格·罗伊 , 达尔尚·撒卡尔 , 戈皮·钱德兰·拉马钱德兰 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 阿卜希吉特·B·马尔利克
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/50 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送到所述高纵横比开口。所述前驱物和所述含氧化合物循环地交替来填充所述高纵横比开口。
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公开(公告)号：CN116964714A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280019935.7
申请日：2022-02-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中将所述基板暴露于所述氨基硅烷前驱物；从所述处理腔室净化所述氨基硅烷前驱物；在大于或等于100毫秒至小于或等于3秒的范围内的持续时间内通过脉冲氧化剂的流来将所述基板暴露于所述氧化剂；以及从所述处理腔室净化所述氧化剂。
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