公开(公告)号：CN118369398A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202280079731.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯瓦帕基亚·甘纳帕蒂亚潘 ,  奈格·帕蒂班德拉 ,  戈皮·钱德兰·拉马钱德兰 ,  斯里尼瓦斯·奥鲁甘蒂 ,  赛卡特·森 ,  马赫什·库马尔·乌帕达 ,  阿鲁囊舒·比斯瓦斯

IPC: C09K11/88 ,  H01L33/50

Abstract: 描述制造可称为量子点的多层半导体颗粒的方法。方法包括将第一含锌化合物及含硒化合物结合以形成ZnSe混合物。在少于或约5秒内将含锌化合物及含硒化合物快速结合。方法亦包括：向ZnSe混合物中添加含碲化合物，以在ZnSeTe混合物中形成至少一个ZnSeTe颗粒。方法更进一步包括：在ZnSeTe颗粒上形成第一壳层并在第一壳层上形成第二壳层，以制成多层半导体颗粒。在另外实施方式中，可快速搅拌反应物及颗粒混合物。该多层半导体颗粒发射的光的特征可在于增强的窄频带发射轮廓(亦即锐度)。

公开(公告)号：CN119895076A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380067348.X

申请日：2023-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吉蒂卡·巴贾 ,  苏普里亚·戈什 ,  苏米特·辛格·罗伊 ,  达尔尚·撒卡尔 ,  戈皮·钱德兰·拉马钱德兰 ,  巴斯卡尔·乔蒂·布雅 ,  阿卜希吉特·B·马尔利克

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送到所述高纵横比开口。所述前驱物和所述含氧化合物循环地交替来填充所述高纵横比开口。