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公开(公告)号：CN108779568A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C8/12 , C22F1/16 , C23C8/16 , C25D3/54 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/08 , C25D11/34
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。
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公开(公告)号：CN102017100B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980114112.7
申请日：2009-04-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 穆罕默德·M·拉希德 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/324 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/3105 , H01S3/03 , H01S3/034 , H01S3/0385 , H01S3/225 , H05H1/2406 , H05H2001/2431 , H05H2001/245
Abstract: 提供了一种用于产生准分子辐射的设备。所述设备包括具有外壳壁的外壳，在所述外壳内配置了电极。在所述电极周围为管状主体。所述管状主体包括外壁与内壁。至少一种惰性气体在所述外壁与所述内壁之间，其中所述外壳壁与所述电极是配置用以激发所述惰性气体，以发出用于进行固化的准分子光。
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公开(公告)号：CN101429651B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200810175482.9
申请日：2008-11-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 詹姆斯·桑托萨
IPC: C23C16/50 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4412 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , Y10S134/902 , Y10T137/85978 , Y10T137/87571
Abstract: 本发明描述了一种用于净化来自半导体制造室中的流体的排气前级管路。所述前级管路可以包括独立耦合到所述室的第一、第二和第三端口。还描述了一种半导体制造系统，所述半导体制造系统包括具有第一、第二和第三界面端口的基板室。所述系统还可以包括具有第一、第二和第三端口的多端口前级管路，其中将所述第一前级管路端口耦合到所述第一界面端口，所述第二前级管路端口耦合到所述第二界面端口，所述第三前级管路端口耦合到所述第三界面端口。所述系统还可以包括耦合到所述多端口前级管路的排气真空。
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公开(公告)号：CN101314867B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200710138057.8
申请日：2007-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托恩·Q·特兰 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 崔伦 , 帮·王
CPC classification number: H01L21/67126
Abstract: 在此提供一种用于工艺腔室具有改进的密封性能的阀组件的实施方式。在一些实施方式中，用于工艺腔室的阀组件包括：外壳，具有设置在其壁中的开口并且通过该开口可传送衬底；门，在基本平行于外壳的壁的平面中可移动地耦接到外壳，用于选择性地密封开口；可压缩密封构件，至少部分设置在门的上表面上和外壳的相应表面之间，用于当门位于关闭位置时在基本垂直于壁的方向上通过可压缩密封构件的压缩而在二者之间形成密封；以及机械装置，用于限制可压缩密封构件对在外壳的工艺腔室侧的环境的暴露。
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公开(公告)号：CN118284857A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280076921.9
申请日：2022-10-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 金贤埈 , 艾伦·L·曹 , 谢卡尔·阿塔尼 , 梁奇伟 , 怡利·Y·叶
IPC: G03F7/38 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文描述了用于执行暴露后烘烤冷却操作的方法和设备。所述方法通过暴露后烘烤设置在处理腔室中的经加热基板支撑件上的基板来开始，所述处理腔室具有喷头。经加热基板支撑件经移动以增加经加热基板支撑件与喷头的冷却板之间的距离。使用基板升降装置将基板与经加热基板支撑件分离。基板被移动至冷却喷头附近。基板被冷却，直至基板低于约70摄氏度。使用基板升降装置将基板与冷却喷头间隔开，以及将基板与处理腔室的基板传送通道对准，以便由机械手移除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885979B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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公开(公告)号：CN116982144A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202180093719.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 凯尔·M·汉森 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 阿兰·L·佐 , 拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 , 保罗·R·麦克休 , 孙佳怡 , 奇伟·梁 , 尼廷·托马斯·亚历克斯 , 兰斯洛特·黄 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。
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公开(公告)号：CN108779568B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201780016714.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 普莉娜·A·古拉迪雅 , 吉蒂卡·巴贾 , 尤吉塔·巴瑞克 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 安库尔·凯达姆 , 拜平·塔库尔 , 凯文·A·帕克 , 考希克·维迪亚
IPC: C25D5/50 , C25D3/54 , C25D9/12 , C23C16/455
Abstract: 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂，及后处理其上具有经电沉积的钇的基板。
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公开(公告)号：CN108885979A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780016071.2
申请日：2017-02-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尤吉塔·巴瑞克 , 拉克什斯瓦尔·卡利塔 , 吉蒂卡·巴贾 , 凯文·A·帕克 , 安科尔·卡达姆 , 拜平·塔库尔 , 宜兴·林 , 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 普莉娜·A·古拉迪雅
CPC classification number: C25D3/44 , C25D3/66 , C25D5/022 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D11/04 , H01L21/67023
Abstract: 本公开内容一般地涉及以电化学方式形成铝或氧化铝的方法。所述方法可包括：视情况地制备电化学浴，将铝或氧化铝电沉积至基板上，从该基板的表面去除溶剂，及后处理上面有该电沉积的铝或氧化铝的该基板。
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公开(公告)号：CN101527254B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200810175281.9
申请日：2008-11-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 柯比·H·弗洛伊德
IPC: H01L21/00 , H01L21/683 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4409 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , C23C16/463 , H01L21/68792
Abstract: 描述了一种基板处理系统。该系统包括处理室和至少部分地设置在室内的基板支撑组件。该基板支撑组件可通过马达旋转，也允许电、冷却流体、气体和真空从处理室外部的非旋转源传送到处理室内部的旋转基板支撑组件。冷却流体和电连接用于升高或降低由基板支撑组件支撑的基板温度。电连接也能用于静电夹持晶片至支撑组件。一个或多个旋转密封(旋转密封可以是低摩擦O型环)可用于保持处理压力同时仍允许基板组件旋转。真空泵可连接到用于夹持晶片的端口。该泵也可用于当存在两对以上旋转密封时差动泵送一对旋转密封之间的区域。
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