公开(公告)号：CN107464766B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201710364977.5

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 ,  斯里维斯·D·内曼尼 ,  卢多维克·葛德特 ,  奇伟·梁 ,  阿迪布·可汗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中，提供一种集群工具装置，所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)沉积腔室、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)腔室和后处理腔室。基板可被集群工具处理并在预清洁腔室、SAM沉积腔室、ALD腔室和后处理腔室之间传递。基板在每个所述腔室之间的传递可通过容纳有传递机器人的传递腔室来促进。

公开(公告)号：CN117219539A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311016325.4

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 ,  斯里维斯·D·内曼尼 ,  卢多维克·葛德特 ,  奇伟·梁 ,  阿迪布·可汗

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中，提供一种集群工具装置，所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self‑assembled monolayer；SAM)沉积腔室、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)腔室和后处理腔室。基板可被集群工具处理并在预清洁腔室、SAM沉积腔室、ALD腔室和后处理腔室之间传递。基板在每个所述腔室之间的传递可通过容纳有传递机器人的传递腔室来促进。

公开(公告)号：CN116982144A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180093719.2

申请日：2021-04-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 ,  凯尔·M·汉森 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  阿兰·L·佐 ,  拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 ,  保罗·R·麦克休 ,  孙佳怡 ,  奇伟·梁 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯 ,  兰斯洛特·黄 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。

公开(公告)号：CN107464766A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710364977.5

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 ,  斯里维斯·D·内曼尼 ,  卢多维克·葛德特 ,  奇伟·梁 ,  阿迪布·可汗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/042 ,  C23C16/02 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/67155

Abstract: 本文所述实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。在一个实施方式中，提供一种集群工具装置，所述集群工具装置具有传递腔室和围绕所述传递腔室设置的预清洁腔室、自组装单层(self-assembled monolayer；SAM)沉积腔室、原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)腔室和后处理腔室。基板可被集群工具处理并在预清洁腔室、SAM沉积腔室、ALD腔室和后处理腔室之间传递。基板在每个所述腔室之间的传递可通过容纳有传递机器人的传递腔室来促进。