半导体处理腔室中的旋转偏压基座和静电卡盘

    公开(公告)号:CN117043388A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280023468.5

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 本文提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中,用于化学气相沉积(CVD)腔室的基板支撑件包括:用于支撑基板的基座,其中该基座包括耦接到基座主体的介电板;旋转接头,其耦接到基座,其中旋转接头包括围绕转子设置的固定外壳;耦接到旋转接头的驱动组件;冷却剂接头,其耦接到旋转接头并且具有冷却剂入口,该冷却剂入口通过冷却剂管线流体地耦接到设置在基座中的冷却剂通道;RF旋转接合件,其耦接到冷却剂接头并具有构造为将基座耦接到RF偏压功率源的RF连接器;以及RF导管,其从RF连接器通过基座主体的中心开口延伸到基座以向基座提供RF偏压。

Patent Agency Ranking