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公开(公告)号：CN113994456A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080045314.7
申请日：2020-06-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , G03F7/38
Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的方法及设备。更特定而言，本文描述的实施方式涉及场引导的曝光后烘烤(iFGPEB)腔室及处理。在一个实施方式中，将基板传送至曝光后处理腔室中，且接着通过多个升降销将基板抬升至预处理位置。基板支撑件接着被抬升以与基板接合，且在iFGPEB处理之前真空吸附基板于其上。
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公开(公告)号：CN111066120A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880057395.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包括环绕工件支撑件的气体分配环。微波天线包括耦合至可旋转台的至少一个导管。气体分配环包括将圆形导管从腔室分开的圆柱形腔室衬垫，及径向延伸穿过衬垫的多个孔，以将导管连接至腔室。
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公开(公告)号：CN109478529A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043746.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 怡利·Y·叶 , 华钟强
IPC: H01L21/683 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/513
Abstract: 描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。
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公开(公告)号：CN110720138A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880037973.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼兰詹·库玛尔 , 金·拉姆库马尔·韦洛尔 , 道格拉斯·H·伯恩斯 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，一种静电载具，包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。在另一实施方式中，一种晶粒组装系统，包含：静电载具，静电载具经配置以静电固定多个晶粒；载具保持平台，经配置以保持静电载具；晶粒输入平台；以及装载机器人，具有一动作范围，动作范围经配置以从晶粒输入平台拾取多个晶粒并将多个晶粒放置在静电载具上。
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公开(公告)号：CN117043388A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023468.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 小道格拉斯·亚瑟·布池贝尔格尔 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 谢卡尔·阿塔尼
IPC: C23C16/458
Abstract: 本文提供了基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，用于化学气相沉积(CVD)腔室的基板支撑件包括：用于支撑基板的基座，其中该基座包括耦接到基座主体的介电板；旋转接头，其耦接到基座，其中旋转接头包括围绕转子设置的固定外壳；耦接到旋转接头的驱动组件；冷却剂接头，其耦接到旋转接头并且具有冷却剂入口，该冷却剂入口通过冷却剂管线流体地耦接到设置在基座中的冷却剂通道；RF旋转接合件，其耦接到冷却剂接头并具有构造为将基座耦接到RF偏压功率源的RF连接器；以及RF导管，其从RF连接器通过基座主体的中心开口延伸到基座以向基座提供RF偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116998001A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022399.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 芒格什·阿肖克·邦阿 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 兰斯洛特·黄 , 艾伦·L·曹 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 戴辉雄 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 克里斯托弗·S·恩盖
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具流出的流体的一个或多个特性。设备的再循环路径通常进一步包括在第一端处耦接至收集单元的第三端的净化单元，此净化单元在第二端处进一步耦接至探针的第二端，此净化单元用于改变流体的特性。
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公开(公告)号：CN110036466A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780072686.7
申请日：2017-11-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 尚布休·N·罗伊 , 尼兰詹·库马尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 描述静电吸附力工具，所述静电吸附力工具可在工件载具上使用以用于微机械和半导体处理。一个范例包含工件配件，用于在被静电吸盘的静电吸附力抓取时保持工件；臂，所述臂耦合至所述工件配件以经由所述工件配件牵引所述工件侧向地跨过所述吸盘；和测力计，所述测力计耦合至所述臂以测量所述工件配件被所述臂牵引以移动所述工件所使用的力的量。
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公开(公告)号：CN108022866A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711001357.1
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6835 , H01L21/68785 , H01L2021/6006 , H01L2221/68304
Abstract: 描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。
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公开(公告)号：CN208622687U
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201821167081.4
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。
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公开(公告)号：CN207731910U
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201721378214.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67248
Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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