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公开(公告)号：CN109478529A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043746.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 怡利·Y·叶 , 华钟强
IPC: H01L21/683 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6833 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/513
Abstract: 描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。
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公开(公告)号：CN107735851A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/311 , H01L21/0337
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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公开(公告)号：CN107735851B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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公开(公告)号：CN110036466A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780072686.7
申请日：2017-11-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 尚布休·N·罗伊 , 尼兰詹·库马尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 描述静电吸附力工具，所述静电吸附力工具可在工件载具上使用以用于微机械和半导体处理。一个范例包含工件配件，用于在被静电吸盘的静电吸附力抓取时保持工件；臂，所述臂耦合至所述工件配件以经由所述工件配件牵引所述工件侧向地跨过所述吸盘；和测力计，所述测力计耦合至所述臂以测量所述工件配件被所述臂牵引以移动所述工件所使用的力的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108022866A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711001357.1
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6835 , H01L21/68785 , H01L2021/6006 , H01L2221/68304
Abstract: 描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。
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公开(公告)号：CN103081088B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180042581.X
申请日：2011-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67103 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供了一种静电夹盘和使用所述静电夹盘的方法。在某些实施例中，静电夹盘可以包括盘，所述盘具有第一侧，所述第一侧用以将基板支撑在所述第一侧上，及第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，用以提供选择性地将所述盘耦接到热控板材的界面；第一电极，所述第一电极设置在所述盘内靠近所述第一侧处以将所述基板静电耦接到所述盘；第二电极，所述第二电极设置在所述盘内靠近所述盘的所述相对侧以将所述盘静电耦接到所述热控板材。在某些实施例中，第二电极也可以配置成加热所述盘。
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公开(公告)号：CN103081088A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042581.X
申请日：2011-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , B23Q3/15 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67103 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供了一种静电夹盘和使用所述静电夹盘的方法。在某些实施例中，静电夹盘可以包括盘，所述盘具有第一侧，所述第一侧用以将基板支撑在所述第一侧上，及第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，用以提供选择性地将所述盘耦接到热控板材的界面；第一电极，所述第一电极设置在所述盘内靠近所述第一侧处以将所述基板静电耦接到所述盘；第二电极，所述第二电极设置在所述盘内靠近所述盘的所述相对侧以将所述盘静电耦接到所述热控板材。在某些实施例中，第二电极也可以配置成加热所述盘。
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公开(公告)号：CN208622687U
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201821167081.4
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。
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公开(公告)号：CN207731910U
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201721378214.8
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67248
Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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