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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101515542B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810128783.6
申请日：2008-05-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明涉及用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层，其用蚀刻剂气体混合物蚀刻含碳层，该蚀刻剂气体混合物包含氧分子(O2)和包含碳硫末端配位体的气体。在某些实施例中采用高RF频率源以便得到对无机电介质层具有高选择性的高蚀刻率。在某些实施例中，蚀刻剂气体混合物仅包含两种成分：COS和O2，但在其它实施例中，也可以进一步采用附加气体，例如氮分子(N2)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)中的至少一种，来蚀刻含碳层。
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公开(公告)号：CN107735851A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/311 , H01L21/0337
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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公开(公告)号：CN101515542A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810128783.6
申请日：2008-05-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31138
Abstract: 本发明涉及用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层，其用蚀刻剂气体混合物蚀刻含碳层，该蚀刻剂气体混合物包含氧分子(O2)和包含碳硫末端配位体的气体。在某些实施例中采用高RF频率源以便得到对无机电介质层具有高选择性的高蚀刻率。在某些实施例中，蚀刻剂气体混合物仅包含两种成分：COS和O2，但在其它实施例中，也可以进一步采用附加气体，例如氮分子(N2)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)中的至少一种，来蚀刻含碳层。
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公开(公告)号：CN111066120A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880057395.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于处理工件的等离子体反应器，包括腔室，具有介电窗；工件支撑件，用以在腔室中保持工件；旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台及具有旋转轴的可旋转台；微波天线，并覆盖腔室的介电窗；旋转致动器，用以旋转微波天线；和处理气体分配器，包括环绕工件支撑件的气体分配环。微波天线包括耦合至可旋转台的至少一个导管。气体分配环包括将圆形导管从腔室分开的圆柱形腔室衬垫，及径向延伸穿过衬垫的多个孔，以将导管连接至腔室。
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公开(公告)号：CN107735851B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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