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公开(公告)号：CN114975176A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210470647.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 卢多维克·戈代
IPC: H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self‑assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
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公开(公告)号：CN113835299A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111180980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
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公开(公告)号：CN112154534A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201980034219.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏坦·马立克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 马克西米利安·克莱蒙斯
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/56
Abstract: 本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。
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公开(公告)号：CN110828346A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911127078.9
申请日：2015-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/56
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN109417042A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780025455.0
申请日：2017-03-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 卢多维克·戈代
Abstract: 本文所述的实施方案涉及用于自组装单层(self-assembled monolayer,SAM)沉积的设备和方法。本文所述的设备包括处理腔室，具有流体耦合到处理腔室上的各种气相输送设备。SAM前驱物可经由经加热以将前驱物维持在气相中的各种设备而输送到腔室的处理容积。在一个实施方案中，经构造以用于输送SAM前驱物的第一安瓿或蒸发器可流体耦接到处理腔室的处理容积。经构造以输送与SAM前驱物不同的材料的第二安瓿或蒸发器也可流体耦接到处理腔室的处理容积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799379A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711262383.X
申请日：2013-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , B05B1/00 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
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公开(公告)号：CN104641457B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201380048676.1
申请日：2013-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
Abstract: 描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
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公开(公告)号：CN115087759B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202080096397.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈秀·克里斯·莹 , 叶怡利 , 埃莉卡·陈 , 尼廷·托马斯·亚历克斯
IPC: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/26
Abstract: 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。
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公开(公告)号：CN110603631B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201880029402.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN115087759A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096397.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈秀·克里斯·莹 , 叶怡利 , 埃莉卡·陈 , 尼廷·托马斯·亚历克斯
IPC: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/26
Abstract: 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。
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