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公开(公告)号：CN106249554B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201610405182.X
申请日：2016-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明涉及浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺。在一个实施方式中，一种装置包括处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组件，所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场，其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位，使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面，其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开，以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积；以及约束环，所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘，配置用于保持中间介质。
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公开(公告)号：CN106663632A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036453.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供针对鳍式场效晶体管(FinFET)的利用选择性沉积工艺形成具有多个期望材料的鳍片结构的方法，该期望材料形成在该鳍片结构的不同位置上。在一实施例中，在基板上形成具有期望材料的结构的方法包括在具有三维(3D)结构形成于上的基板上沉积第一材料，同时进行布植工艺来掺杂3D结构的第一区域。移除第一材料，并且在3D结构上沉积第二材料。第二材料可在3D结构的第二区域上选择性地生长。
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公开(公告)号：CN106558480A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610814116.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/4485 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/45517 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/68707 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开大体上涉及一种半导体处理装置。在一个实施方式中，在本文中公开一种处理腔室。所述处理腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖限定内部容积，所述盖被配置成支撑具有帽的外壳；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；蒸发器，所述蒸发器被耦接至所述帽并且具有通向所述处理腔室的所述内部容积的出口，其中所述蒸发器被配置成将前驱物气体输送至所述蒸发器与所述基板支撑件之间限定的处理区域；以及加热器，所述加热器被设置成与所述蒸发器相邻，其中所述加热器被配置成加热所述蒸发器。
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公开(公告)号：CN106463385B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201580032653.0
申请日：2015-05-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 公开了颗粒清洁组件以及用于清洁的方法。一个范例中，描述一种用于从基板的背侧表面移除颗粒的装置。该装置包括：腔室主体，具有基板夹持装置；颗粒清洁制品，定位于该基板支撑表面上方；光学感测装置，定位在该颗粒清洁制品下方；以及基板定位装置，将该颗粒清洁制品与基板分开。另一范例中，公开一种用于从基板移除颗粒的方法。该方法包括将具有处理表面与支撑表面的基板定位在处理腔室中。该基板的至少一部分可被夹持到基板夹持装置，该基板夹持装置具有基板支撑表面，且颗粒清洁制品定位于该基板支撑表面上。该基板随后从留下颗粒的该颗粒清洁制品分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113835299B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111180980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
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公开(公告)号：CN106558480B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201610814116.8
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开大体上涉及一种半导体处理装置。在一个实施方式中，在本文中公开一种处理腔室。所述处理腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖限定内部容积，所述盖被配置成支撑具有帽的外壳；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；蒸发器，所述蒸发器被耦接至所述帽并且具有通向所述处理腔室的所述内部容积的出口，其中所述蒸发器被配置成将前驱物气体输送至所述蒸发器与所述基板支撑件之间限定的处理区域；以及加热器，所述加热器被设置成与所述蒸发器相邻，其中所述加热器被配置成加热所述蒸发器。
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公开(公告)号：CN106663632B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201580036453.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供针对鳍式场效晶体管(FinFET)的利用选择性沉积工艺形成具有多个期望材料的鳍片结构的方法，该期望材料形成在该鳍片结构的不同位置上。在一实施例中，在基板上形成具有期望材料的结构的方法包括在具有三维(3D)结构形成于上的基板上沉积第一材料，同时进行布植工艺来掺杂3D结构的第一区域。移除第一材料，并且在3D结构上沉积第二材料。第二材料可在3D结构的第二区域上选择性地生长。
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公开(公告)号：CN106814556A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611076231.6
申请日：2016-11-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/2035 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/68764 , G03F7/40
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
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公开(公告)号：CN113835299A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111180980.4
申请日：2016-11-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。
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