公开(公告)号：CN116936405A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310755012.4

申请日：2018-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  阿迪卜·汗 ,  文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 ,  苏坦·马立克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  H01L21/687 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。

公开(公告)号：CN110603631A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880029402.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  阿迪卜·汗 ,  文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 ,  苏坦·马立克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。

公开(公告)号：CN118435137A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084013.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 ,  张涛 ,  邹晓群 ,  巴拉·夏玛拉·巴拉吉

IPC: G05B23/02 ,  G05B19/418 ,  G06N20/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法，包括接收由与基板制造腔室相关联的传感器在制造处理期间产生的第一传感器数据。此方法还包括接收由经训练的基于物理的模型产生的模拟传感器数据。此方法还包括确定所述制造腔室的哪一个或多个部件对所述第一传感器数据与所述模拟传感器数据之间的差异做出贡献。此方法还包括鉴于此差异促使执行校正动作。

公开(公告)号：CN110603631B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201880029402.0

申请日：2018-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  阿迪卜·汗 ,  文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 ,  苏坦·马立克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。