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公开(公告)号：CN117334560A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311107787.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01L21/316 , H01L21/318
Abstract: 在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。
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公开(公告)号：CN110603631A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029402.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN116936405A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310755012.4
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67 , C23C16/52 , H01L21/687 , H01L21/768 , H01L21/324
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN109075021A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780019657.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托宾·卡芙曼·奥斯本 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/02
Abstract: 在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。
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公开(公告)号：CN115698371B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180027095.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 基思·塔特森·王 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 安德鲁·C·库梅尔 , 尤尼尔·曺 , 詹姆斯·黄
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性沉积在未钝化表面之上或上面，以及将基板暴露于第二金属醇盐前驱物以将第二金属氧化物层选择性沉积在第一金属氧化物层上。该方法也包括依序地重复将基板暴露于第一与第二金属醇盐前驱物以产生含有第一与第二金属氧化物层的交替层的积层膜。第一与第二金属醇盐前驱物各自含有选自钛、锆、铪、铝或镧的不同种类的金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117038578A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311053792.4
申请日：2017-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L23/532
Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
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公开(公告)号：CN115698371A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180027095.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 基思·塔特森·王 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 安德鲁·C·库梅尔 , 尤尼尔·曺 , 詹姆斯·黄
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性沉积在未钝化表面之上或上面，以及将基板暴露于第二金属醇盐前驱物以将第二金属氧化物层选择性沉积在第一金属氧化物层上。该方法也包括依序地重复将基板暴露于第一与第二金属醇盐前驱物以产生含有第一与第二金属氧化物层的交替层的积层膜。第一与第二金属醇盐前驱物各自含有选自钛、锆、铪、铝或镧的不同种类的金属。
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公开(公告)号：CN109196634A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032897.8
申请日：2017-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
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公开(公告)号：CN110692121B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201880034565.8
申请日：2018-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。
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公开(公告)号：CN110678959B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880034510.7
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 基思·塔特森·王 , 肖恩·S·康 , 斯里尼瓦斯·D·涅曼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/321 , C23C16/44 , H01L21/67
Abstract: 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。
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