公开(公告)号：CN114318298B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202111082924.7

申请日：2021-09-15

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 野田孝晓 ,  今村友纪 ,  奥田和幸 ,  寺崎昌人

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02

公开(公告)号：CN118756113B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411245652.1

申请日：2024-09-06

申请人： 株洲肯特硬质合金股份有限公司

发明人： 李晃 ,  张国顺 ,  卞江华 ,  刘文槟

IPC分类号： C23C16/44 ,  C21D9/18 ,  C21D9/22 ,  C22C29/08 ,  C22F1/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

摘要： 本发明属于硬质合金刀具领域，具体涉及提高硬质合金涂层刀具抗崩损性能的方法，根据硬质合金基材层和涂层材料二者的膨胀系数的差别幅度，对硬质合金基材层相对密度进行调整，硬质合金基材层的相对密度为95.5%~99.5%，使硬质合金基材层存在孔隙；涂覆后的硬质合金涂层刀具采用热处理，以加大硬质合金基材层的收缩量；热处理后冷却，使硬质合金基材层的孔隙消除，硬质合金基材层的拉应力减小或压应力变化，缓解涂层裂纹的产生。本发明从基材和涂层两方面综合考虑，对基材进行加压热处理，加压处理可以消除孔隙，缓解涂层热裂纹的产生，增加硬质合金涂层刀具产品的使用寿命。

公开(公告)号：CN112391607B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010789975.2

申请日：2020-08-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 羽根秀臣 ,  大槻志门 ,  小山峻史 ,  向山廉 ,  小川淳 ,  吹上纪明

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

摘要： 本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。

公开(公告)号：CN118891698A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028358.2

申请日：2023-03-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 伊恩·约翰·科廷 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  桂喆 ,  托比亚斯·佩斯科尔 ,  巴特·J·范施拉芬迪克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 公开了使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。该方法可用于形成埋藏式空隙，即顶部低于相邻特征顶部的空隙。在一些实施方案中，该方法用于减少半导体设备中的层内电容。

公开(公告)号：CN118880276A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411382984.4

申请日：2024-09-30

申请人： 赣州澳克泰工具技术有限公司

发明人： 朱骥飞 ,  钟志强 ,  殷磊 ,  苏国江 ,  邱联昌 ,  谭卓鹏 ,  成伟

IPC分类号： C23C16/40 ,  B23B27/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/30

摘要： 本发明属于机械加工刀具技术领域，具体涉及一种织构强化的α‑Al2O3涂层刀具及其制备方法，所述涂层至少包含一层通过CVD方法沉积的α‑Al2O3涂层，涂层由内至外α‑Al2O3晶体 晶向与涂层表面法线的夹角逐渐减小。具有该晶体生长取向梯度渐变的α‑Al2O3涂层刀具在钢件车削中表现出优异的耐磨性和抗崩性。

公开(公告)号：CN118880275A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411382970.2

申请日：2024-09-30

申请人： 赣州澳克泰工具技术有限公司

发明人： 邱联昌 ,  成伟 ,  朱骥飞 ,  廖星文 ,  钟志强 ,  殷磊 ,  贾会述 ,  李宗强

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/38 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  B23B27/00

摘要： 本发明涉及涂层刀具技术领域，提出一种多层交替涂层刀具及其制备方法，多层交替涂层刀具包括基体和依次设置在基体表面的多层涂层，所述多层涂层采用化学气相沉积方法制备，包括相邻的第一子涂层和第二子涂层；第一子涂层为Zr1‑aSiaN层，0.05≤a≤0.2；第二子涂层为ZrBx层，1.8≤x≤2.5；第一子涂层和第二子涂层交替沉积。本发明提供的多层涂层刀具具有更好的耐磨性、韧性、抗氧化性和结合强度以及低的摩擦系数，可应用于钛合金、镍基高温合金等材料的切削加工。

公开(公告)号：CN116288276B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310285066.9

申请日：2023-03-22

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 李春晓 ,  宋文涛 ,  吴伟汉 ,  陈科蓓 ,  韩厦 ,  徐科

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开了单原子层二维氮化物的制备方法，该方法在采用模板法生长二维氮化物的时候，避免长出层数较多的前体模板，而是通过控制PVT法中的气流量、反应升温曲线、源端和衬底的距离等因素，获得完美的单原子层厚度。此外尽量避免在整个氮化的过程中刻蚀现象严重，模板严重损坏难以得到平整低缺陷的单原子层氮化物。

公开(公告)号：CN118786243A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380022696.5

申请日：2023-01-25

申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司

发明人： 萧满超 ,  H·钱德拉 ,  雷新建 ,  M·R·麦克唐纳 ,  M·科恩 ,  P·巴格里

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C07F7/10 ,  C23C16/44

摘要： 公开了根据式A和B的卤素官能化环三硅氮烷前体化合物，以及使用该化合物的方法，其用于通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺及其组合来沉积含硅膜，如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳氮化硅或碳掺杂氧化硅。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118786233A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380021031.2

申请日：2023-02-01

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 桥本匠 ,  伊藤博俊 ,  松田尚久

IPC分类号： C22C29/08 ,  B22F3/24 ,  B23B27/14 ,  C22C1/051 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C26/00

摘要： 本公开的未被限定的一方式的硬质合金含有：硬质相，其含有W和C；粘结相，其由铁族金属中的1种以上构成；以及凝聚相，其含有Zr及Nb，且以原子比计Nb/(Zr+Nb)小于0.38。本公开的未被限定的一方式的涂层刀具具有上述的硬质合金和位于硬质合金的表面的涂层。本公开的未被限定的一方式的切削刀具具备：刀柄，其从第一端朝向第二端延伸，且在第一端侧具有刀槽；以及上述的涂层刀具，其位于刀槽。

公开(公告)号：CN118730382A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410761677.0

申请日：2024-06-13

申请人： 中国科学院空天信息创新研究院

发明人： 谢波 ,  谭博文 ,  邓慧聪 ,  鲁毓岚 ,  王军波 ,  陈德勇

IPC分类号： G01L13/06 ,  B81B7/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开了一种高灵敏谐振式差压传感器的制备方法和高灵敏谐振式差压传感器。其中高灵敏谐振式差压传感器的制备方法通过多晶硅进行真空封装，能有效解决硅‑玻璃/硅‑硅键合的真空封装方案晶圆键合成品率、晶圆键合封装效率低等问题；在对步骤S1中刻蚀出的凹槽进行密封时，本发明通过结构设计，采用宽度不一样的第一隔离槽和第二隔离槽，使需要密封的凹槽宽度由宽变窄，从而在第一隔离槽的出口处能够完全覆盖一层二氧化硅和多晶硅，对第一隔离槽内部的微空洞进行密封，因此可以使用较小的封装尺寸实现较好的封装效果，完成局部封装。