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公开(公告)号：CN119552199A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411617223.2
申请日：2024-11-13
Applicant: 中船派瑞特种气体(上海)有限公司
IPC: C07F17/00 , C07C1/32 , C07C13/15 , C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/30
Abstract: 本发明提供了一种正丙基环戊二烯基三(二甲胺基)锆制备工艺，包括以下两个步骤：步骤1，正丙基环戊二烯的制备；以溴代环戊二烯和丙基溴化镁混合物为原料进行反应，反应结束后，过滤出固体杂质，减压蒸馏获得正丙基环戊二烯产品；步骤2，正丙基环戊二烯三(二甲胺基)锆的制备；以正丙基环戊二烯和四(二甲胺基)锆溶液作为原料进行反应，反应结束后，减压蒸馏得到正丙基环戊二烯三(二甲胺基)锆。本发明还涉及一种前驱体组合物成膜制备方法，前驱体组合物形成氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。本发明解决纯正丙基环戊二烯基三(二甲胺基)锆前驱体原料由于粘度高因其沉积质量缺陷。
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公开(公告)号：CN119530763A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411159227.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 韩松化学株式会社
IPC: C23C16/455 , H10D62/60 , H01L21/02 , C23C16/34
Abstract: 本发明涉及新型组合物、包含其的前体组合物、薄膜及其制造方法，具体地，涉及能够应用于原子层蒸镀法或化学气相蒸镀法且反应性、挥发性和热稳定性优异的新型组合物、包含上述新型组合物的前体组合物、利用上述前体组合物的薄膜的制造方法。所述组合物包含化学式1所表示的第一化合物和化学式2所表示的第二化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119501170A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510074663.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 台州中驰智谷科技有限公司
Inventor： 李名雪
Abstract: 本发明涉及机械加工领域，且公开了一种涂层刀具及其涂层制备工艺，包括刀头，刀头的底部一体化固定连接有刀杆，刀杆的底部固定连接有刀具固定结构，刀具固定结构的侧面上端开设有锁紧用螺纹槽，刀具固定结构的侧面上对应锁紧用螺纹槽的区域内螺纹连接有固定用旋钮，刀头的内腔中开设有冷却液通道一，刀具固定结构的内腔中空且与刀头的内腔相连通，刀具固定结构的内腔中活动插接有合金撑棒，还包括防松动锁紧装置，该涂层刀具通过自锁垫片防松动、简便安装拆卸、内置冷却液通道散热润滑、多组件配合稳固定位以及精确涂层工艺提升性能，极大地提高了刀具的稳定性、工作效率、加工精度、适应性和使用寿命，降低了操作难度和生产成本。
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公开(公告)号：CN119497456A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411375139.4
申请日：2024-09-30
Applicant: 无锡松煜科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种防逆光全反射钝化缓冲结构及其制备方法、应用，所述防逆光全反射钝化缓冲结构包括依次沉积于活化晶体硅基底表面的富OH键的Al3O2膜层和AlNx缓冲膜层，所述活化晶体硅基底由晶体硅基底经过一次等离子体处理后得到，所述富OH键的Al3O2膜层由氧化铝膜层经过二次等离子体处理后得到；所述富OH键的Al3O2膜层的折射率小于1.7，所述AlNx缓冲膜层的折射率为1.7~1.9。本发明的富OH键的Al3O2膜层可以吸附更多结合能更强的OH键及H键，AlNx缓冲膜层作为光吸收缓冲层在保证良好在钝化效果在同时，降低太阳电池表面膜层折射率失配带来在的逆光全反射不良现象，提高了太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN113227467B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201980086082.7
申请日：2019-12-10
Applicant: 爱沃特株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 提供能够降低含Al(铝)的氮化物半导体层内的穿透位错的化合物半导体基板。一种化合物半导体基板，具备：Si(硅)基板；第1的Al氮化物半导体层，其被形成于Si基板之上，是Al浓度沿着厚度方向随着从Si基板远离而减少的倾斜层；GaN(氮化镓)层，其被形成于第1的Al氮化物半导体层之上，具有比第1的Al氮化物半导体层的平均Al浓度低的平均Al浓度；第2的Al氮化物半导体层，其被形成于GaN层之上，具有比GaN层的平均Al浓度高的平均Al浓度。第2的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度比第1的Al氮化物半导体层内的厚度方向的任意位置处的穿透位错密度低。
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公开(公告)号：CN119465074A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411615346.2
申请日：2024-11-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Inventor： 戴晨光
Abstract: 本发明提供一种利用AMAT Centra DxZ CVD设备生长低温氮化硅薄膜的方法，包括如下步骤：提供衬底；控制所述设备的腔体温度在150‑200℃之间，控制所述腔体的压力为第一压力；将所述衬底传入所述腔体内，控制所述衬底与所述腔体上部的距离为第一距离；控制所述腔体的压力在2‑5Torr之间，引入反应气体和N2并稳定第一预设时长，生长氮化硅薄膜。可在不对原有进行高温氮化硅沉积的设备进行改造的情况下，实现低温氮化硅薄膜的沉积和应力的调控。
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公开(公告)号：CN119433495A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510042963.6
申请日：2025-01-10
Applicant: 赣州澳克泰工具技术有限公司
Abstract: 本发明涉及涂层刀具技术领域，提出一种化学气相沉积多层涂层刀具及其制备方法，化学气相沉积多层涂层刀具，刀具包括基体和依次采用化学气相沉积方法沉积在基体表面的多层涂层，多层涂层包括(Zr,Al)yBx涂层，且1.9≤x/y≤2.2，随着(Zr,Al)yBx涂层的沉积，涂层中Al含量逐渐增加。本发明提供的多层涂层刀具具有更好的耐磨性、韧性、抗氧化性和结合强度以及低的摩擦系数，可应用于钛合金、镍基高温合金等材料的切削加工。
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公开(公告)号：CN119433494A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310973792.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 株洲钻石切削刀具股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种涂层切削刀具及其制备方法，涂层切削刀具包括刀具基体和覆于刀具基体表面的多层涂层，多层涂层中至少包含一层具有柱状晶结构的MTCVD TiCN涂层，MTCVD TiCN涂层具有(220)晶面择优织构取向，织构系数Tc(220)≥3，(220)晶面的衍射角2θ在60.75°～61.05°，MTCVD TiCN涂层的晶粒度为0.1μm～0.4μm。制备方法包括制备刀具基体和多层涂层。本发明的涂层切削刀具兼具高硬度、高耐磨性、高抗冲击性和抗剥落性等优点，产品质量稳定性高。
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公开(公告)号：CN119433493A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510046310.5
申请日：2025-01-13
Applicant: 福建金石能源有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/56 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/50 , C30B28/14 , C30B29/06 , H01L21/673 , H10F71/00 , H10F77/30 , H10F10/00
Abstract: 本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟饱和方法及应用，石墨舟饱和方法包括：在石墨舟表面沉积氮化硅膜，之后开启辉光进行氢处理，然后对所述氢处理后得到的石墨舟沉积氧化硅膜；其中，氮化硅膜的厚度为50‑100nm，氧化硅膜的厚度为375‑700nm；且所述氢处理的条件包括：控制通入的氢气流量为10000‑20000sccm，功率为6000‑10000W，反应时间为600‑1800s。本发明能够沉积高质量的隧穿多晶层，提升钝化水平，提高电池的转换效率，解决了石墨舟饱和对前几轮镀膜的影响，提高生产良率，同时本发明石墨舟饱和方法，能够极大缩短石墨舟的酸洗时间。
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公开(公告)号：CN119433484A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411514815.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/01 , G02B5/08 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/34 , H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种DBR反射镜的制备方法。该方法能够高效转移在金属薄膜上生长的DBR，并制备成低阈值激光器。具体而言，DBR在高温环中生长时，由于金属薄膜的热应力导致自剥离，利用胶带固定剥离的DBR，可以实现二次转移。本发明克服了传统转移技术的局限，利用生长DBR时的高温环境实现自剥离，使得工艺更加简单高效。本发明利用转移好的DBR制备的激光器可以获得更高的性能。
