公开(公告)号：CN110678959A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880034510.7

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 基思·塔特森·王 ,  肖恩·S·康 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。

公开(公告)号：CN108352357A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680052233.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃莉卡·陈 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76828

Abstract: 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。

公开(公告)号：CN110678959B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880034510.7

申请日：2018-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 基思·塔特森·王 ,  肖恩·S·康 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 涉及处理在工件上的氮化硅膜的工艺的方法和系统，包括：在腔室中支撑工件，将胺气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的氮化硅膜暴露于胺气。

公开(公告)号：CN108352357B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201680052233.3

申请日：2016-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 埃莉卡·陈 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·D·涅曼 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/762 ,  H01L21/205

Abstract: 本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。