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公开(公告)号：CN115698371B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180027095.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 基思·塔特森·王 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 安德鲁·C·库梅尔 , 尤尼尔·曺 , 詹姆斯·黄
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性沉积在未钝化表面之上或上面，以及将基板暴露于第二金属醇盐前驱物以将第二金属氧化物层选择性沉积在第一金属氧化物层上。该方法也包括依序地重复将基板暴露于第一与第二金属醇盐前驱物以产生含有第一与第二金属氧化物层的交替层的积层膜。第一与第二金属醇盐前驱物各自含有选自钛、锆、铪、铝或镧的不同种类的金属。
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公开(公告)号：CN115698371A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180027095.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 基思·塔特森·王 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 安德鲁·C·库梅尔 , 尤尼尔·曺 , 詹姆斯·黄
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性沉积在未钝化表面之上或上面，以及将基板暴露于第二金属醇盐前驱物以将第二金属氧化物层选择性沉积在第一金属氧化物层上。该方法也包括依序地重复将基板暴露于第一与第二金属醇盐前驱物以产生含有第一与第二金属氧化物层的交替层的积层膜。第一与第二金属醇盐前驱物各自含有选自钛、锆、铪、铝或镧的不同种类的金属。
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公开(公告)号：CN113348532A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980074914.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/285 , H01L21/311 , H01L21/324 , C23C16/46 , C23C16/42 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，并且含硅表面被氢封端。将基板暴露于MoF6前驱物和Si2H6前驱物的顺序循环，随后进行额外的Si2H6过量暴露，以选择性地在基板的含硅表面上沉积包含MoSi2的MoSix材料。本文描述的方法亦提供了选择性的原生氧化物移除，此能够在不蚀刻主体氧化物材料的情况下移除原生氧化物材料。
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公开(公告)号：CN119998487A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070863.3
申请日：2023-10-03
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 一种方法包括在第一介电层上形成导电材料，将导电材料暴露于苯胺以产生导电材料的钝化表面，以及在将导电材料暴露于苯胺之后，使用沉积工艺在第一介电层上形成第二介电层。该沉积工艺是无水且无等离子体的沉积工艺，并且第二介电层不在导电材料的钝化表面上形成。
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公开(公告)号：CN112136204B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980031899.4
申请日：2019-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 提供用于在选择性沉积工艺之后去除残留物的方法。在一个实施方式中，所述方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的第一位置处形成含金属的介电材料，以及执行残留物去除工艺以从所述基板的第二位置去除残留物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117377791A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280018553.2
申请日：2022-02-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 索汉姆·桑杰·阿斯拉尼 , 约书亚·阿伦·鲁布尼茨 , 巴加夫·斯里达尔·西特拉 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里卡·陈 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 , 杰思罗·塔诺斯 , 怡利·叶
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供处于第二占空比的射频偏压功率至设置于处理容积中的基板支撑件的同时，从气源供应工艺气体混合物，以将SiHx膜沉积至在基板支撑件上所支撑的基板上，第二占空比与第一占空比不同。
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公开(公告)号：CN110349838B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN114402417A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080065353.3
申请日：2020-09-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 约书亚·鲁布尼茨
IPC: H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 用于沉积介电材料的方法和设备包括：将第一气体混合物提供到处理腔室中；在远程等离子体源中形成包括第一自由基的第一远程等离子体，并将第一自由基输送至处理腔室，以在存在第一气体混合物和第一自由基的情况下在设置在基板上的材料层中的开口中形成介电材料层；终止第一远程等离子体并向处理腔室施加第一RF偏置功率以形成第一偏置等离子体；使介电材料层与第一偏置等离子体接触以形成第一介电材料处理层；及随后在远程等离子体源中形成包括第二自由基的第二远程等离子体，并在存在第二气体混合物的情况下将第二自由基输送到内部处理区域中，同时施加第二RF偏置功率以形成第二偏置等离子体，其中第二自由基和第二偏置等离子体接触第一介电材料处理层，以增加第一介电材料处理层的疏水性或流动性。
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公开(公告)号：CN111656510A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980008219.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶 , 美怡·石美怡
IPC: H01L21/768 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本公开内容提供在膜堆叠中形成材料层的方法以用于制造EUV应用及相移及二元光掩模应用中的光掩模。在一个示例中，在基板上形成介电材料的方法包含以下步骤：在处理腔室中在基板上供应含氧气体混合物，该基板包括设置于光学透明含硅材料上的介电材料；在该处理腔室中在大于2bar的处理压力下维持该含氧气体混合物；及在存在该含氧气体混合物的情况下热处理该介电材料。
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公开(公告)号：CN107735851A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/311 , H01L21/0337
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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