公开(公告)号：CN110349838B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201910276157.X

申请日：2019-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任·何 ,  马克西米利安·克莱蒙斯 ,  石美仪 ,  于敏锐 ,  本切基·梅巴基 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。

公开(公告)号：CN110349838A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910276157.X

申请日：2019-04-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任·何 ,  马克西米利安·克莱蒙斯 ,  石美仪 ,  于敏锐 ,  本切基·梅巴基 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  殷正操 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。