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公开(公告)号：CN106463456B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
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公开(公告)号：CN111902929A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980016419.7
申请日：2019-01-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 考施·K·辛格 , 石美仪 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/768 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在约2巴和约50巴之间的处理压力下；和在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层。
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公开(公告)号：CN110349838B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910276157.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任·何 , 马克西米利安·克莱蒙斯 , 石美仪 , 于敏锐 , 本切基·梅巴基 , 梅裕尔·B·奈克 , 殷正操 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。
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公开(公告)号：CN106463456A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580009997.X
申请日：2015-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02266 , H01L21/321 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849
Abstract: 提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
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公开(公告)号：CN115190917A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202080082849.1
申请日：2020-12-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/36 , C23C16/04 , C23C16/505
Abstract: 描述了用于碳氮化硅膜的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法。通过将基板表面暴露于前驱物和反应物来在基板表面上形成可流动的碳氮化硅膜，所述前驱物具有通式(I)或通式(II)的结构其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12独立地选自氢(H)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的乙烯基、硅烷、取代或未取代的胺或卤化物；净化处理腔室中的硅前驱物，然后将基板暴露于氨等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463396A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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公开(公告)号：CN103959380A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280057804.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN101496145B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780017771.X
申请日：2007-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3105 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L29/66583 , H01L29/7843
Abstract: 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。
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公开(公告)号：CN115398617A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028419.6
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备，包括：蚀刻设置在基板的顶上的金属层，以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线；在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下，在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层；在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层；和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下，使低k介电材料的可流动层与氧接触。
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公开(公告)号：CN106463396B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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