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公开(公告)号：CN108886017B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201780017732.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 梅裕尔·奈克 , 吴志远
IPC: H01L21/768
Abstract: 因在从钴互连件上去除表面氧化物和在钴互连件上沉积含氮膜期间发生的氮化作用而造成的钴互连件的电阻增大通过氢热退火或等离子体处理解决。穿过薄覆盖层去除氮化物，薄覆盖层可以是介电阻挡层或蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN117377791A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280018553.2
申请日：2022-02-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 索汉姆·桑杰·阿斯拉尼 , 约书亚·阿伦·鲁布尼茨 , 巴加夫·斯里达尔·西特拉 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里卡·陈 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·亚瑟·布赫伯格 , 杰思罗·塔诺斯 , 怡利·叶
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供处于第二占空比的射频偏压功率至设置于处理容积中的基板支撑件的同时，从气源供应工艺气体混合物，以将SiHx膜沉积至在基板支撑件上所支撑的基板上，第二占空比与第一占空比不同。
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公开(公告)号：CN115104176A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180015194.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克西米利安·克莱蒙斯 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 大体而言，本文描述的示例涉及用于在同一处理腔室中在沉积在基板上的可流动间隙填充膜上实行多个处理的方法和处理系统。在一示例中，半导体处理系统包括处理腔室和系统控制器。系统控制器包括处理器和存储器。存储器储存指令，所述指令在由处理器执行时使系统控制器：控制在处理腔室中的第一处理，所述第一处理在基板上实行，所述基板上具有通过可流动处理沉积的膜，以及控制在处理腔室中的第二处理，所述第二处理在其上具有所述膜的基板上实行。第一处理包括稳定膜中的键以形成经稳定的膜。第二处理包括致密化经稳定的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108886017A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017732.3
申请日：2017-03-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 梅裕尔·奈克 , 吴志远
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76883 , H01L23/53209
Abstract: 因在从钴互连件上去除表面氧化物和在钴互连件上沉积含氮膜期间发生的氮化作用而造成的钴互连件的电阻增大通过氢热退火或等离子体处理解决。穿过薄覆盖层去除氮化物，薄覆盖层可以是介电阻挡层或蚀刻终止层。
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公开(公告)号：CN116897409A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280016117.1
申请日：2022-02-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杰思罗·塔诺斯 , 巴加夫•斯里达尔•西特拉 , 斯里尼瓦斯•D•内曼尼 , 叶怡利 , 约书亚•阿伦•鲁布尼茨 , 埃莉卡•陈 , 索汉姆•桑杰•阿斯拉尼 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 小道格拉斯·阿瑟·布彻格尔
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，一种方法包括：将气化的前驱物供应到处理容积中；从远程等离子体源供应包括离子和自由基的被激活元素；以第一工作周期使用RF源功率激励这些被激活元素以与该气化的前驱物反应，以将SiNHx膜沉积到设置在该处理容积中的基板上；从该远程等离子体源供应第一工艺气体，同时以不同于该第一工作周期的第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率以将该SiNHx膜转化为SiOx膜；供应由从该远程等离子体源供应的第二工艺气体和从该气体源供应的第三工艺气体形成的工艺气体混合物，同时以该第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率；以及对该基板进行退火。
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公开(公告)号：CN115398617A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028419.6
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 本文的多个实施方式提供了使用可流动化学气相沉积(FCVD)处理而沉积的低k介电层的基于氧的处理。FCVD沉积的低k介电层的基于氧的处理期望地增加了Ebd到装置的电容和可靠性，同时移除了孔隙。多个实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备，包括：蚀刻设置在基板的顶上的金属层，以形成具有顶表面、第一侧和第二侧的一条或多条金属线；在足以减少或消除与一条或多条金属线的氧接触的条件下，在顶表面、第一侧和第二侧的顶上沉积钝化层；在钝化层的顶上沉积足以覆盖一条或多条金属线的厚度的低k介电材料的可流动层；和在足以退火并增加低k介电材料的密度的条件下，使低k介电材料的可流动层与氧接触。
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公开(公告)号：CN110214200B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201880008174.9
申请日：2018-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴智远 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 梅裕尔·B·奈克 , 朴金河 , 马克·铉·李
Abstract: 在一个实施方式中，提供一种在基板上形成钴层的方法。方法包含在基板上形成阻挡层和/或衬垫层，基板具有形成在基板的第一表面中的特征限定结构，其中阻挡层和/或衬垫层形成在特征限定结构的侧壁与底表面上。方法进一步包含将基板暴露于钌前驱物，以在阻挡层和/或衬垫层上形成含钌层。方法进一步包含将基板暴露于钴前驱物，以在含钌层顶上形成钴种晶层。方法进一步包含在钴种晶层上形成块体钴层，以填充特征限定结构。
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公开(公告)号：CN110214200A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201880008174.9
申请日：2018-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴智远 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 梅裕尔·B·奈克 , 朴金河 , 马克·铉·李
Abstract: 在一个实施方式中，提供一种在基板上形成钴层的方法。方法包含在基板上形成阻挡层和/或衬垫层，基板具有形成在基板的第一表面中的特征限定结构，其中阻挡层和/或衬垫层形成在特征限定结构的侧壁与底表面上。方法进一步包含将基板暴露于钌前驱物，以在阻挡层和/或衬垫层上形成含钌层。方法进一步包含将基板暴露于钴前驱物，以在含钌层顶上形成钴种晶层。方法进一步包含在钴种晶层上形成块体钴层，以填充特征限定结构。
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