公开(公告)号：CN108807338A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810389800.5

申请日：2018-04-27

Applicant: 格芯公司

Inventor： 恩拉·密特尔 ,  马布·拉汉德

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/45 ,  H01L27/088 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明涉及用于FDSOI的电源轨及MOL构造，其提供在平面晶体管的源极/漏极与局部互连或第一金属化层电源轨之间的一种电性连接，包括电性耦合至该源极/漏极的第一接触区，电性耦合至该第一接触区及该晶体管的栅极的第二接触区，以及电性耦合至该局部互连或第一金属化层电源轨的V0。沟槽硅化物不存在于该晶体管中。也提供一种基于接触区的电源轨脊柱，其包括第一接触区，第二接触区，以及在该第一接触区上面且电性耦合至该第一接触区的邻近V0双向卡钉，以及在该第二接触区及该V0双向卡钉上面且电性耦合至该第二接触区及该V0双向卡钉的V0。

公开(公告)号：CN108701645A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082948.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·昌德霍克 ,  R·E·申克尔 ,  俞辉在 ,  K·L·林 ,  J·S·沙瓦拉 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  S·苏里 ,  C·T·卡弗 ,  S·纳斯卡尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271

Abstract: 在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。

公开(公告)号：CN108231748A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810029234.7

申请日：2018-01-12

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 王建鹏

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66

Abstract: 本发明公开了一种改善聚合物残留的方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成磁性复合层；在所述磁性复合层上形成导电层；在所述导电层上形成阻挡层；刻蚀所述阻挡层形成开口，所述开口暴露出所述导电层；在所述开口中形成金属层，所述金属层通过所述导电层与所述磁性复合层欧姆接触。本发明采用导电层作为阻挡层与磁性复合层的缓冲隔离层，阻挡层被刻蚀完之后，再刻蚀导电层，可以保护磁性复合层；用含钛材料做导电层，干法刻蚀后，钛的反应物是易挥发的物质，残留物易清洗，刻蚀所得表面比较干净，提高了产品的性能与良率；此外，易挥发的反应物对干法刻蚀腔体的环境污染较小，刻蚀腔体维护周期长，提高了生产效率并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN108133880A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711119934.7

申请日：2017-11-14

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 梅里哈·哥德·兰维尔 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·斯里什·雷迪 ,  丹尼斯·M·豪斯曼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/52 ,  C23C22/05 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257

Abstract: 本发明涉及氧化铝蚀刻停止层的沉积。特征为介电常数(k)小于约7(例如介于约4-6之间)和密度至少约2.5g/cm3(例如介于约3.0-3.2g/cm3之间)的氧化铝膜被沉积在部分制造的半导体器件上在金属和电介质上以用作蚀刻停止层。使用不会导致金属的氧化损坏的沉积方法沉积膜。沉积涉及使含铝前体(例如三烷基铝)与醇和/或烷氧基铝反应。在一个实现方式中，该方法涉及使三甲基铝流动到容纳具有暴露的金属和电介质层的衬底的处理室；清扫和/或排空处理室；使叔丁醇流动到处理室，并使其与三甲基铝反应以形成氧化铝膜，并重复这些工艺步骤，直至形成所需厚度的膜。

公开(公告)号：CN108122833A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711103608.7

申请日：2017-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志良 ,  庄正吉 ,  赖志明 ,  吴佳典 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  林威呈 ,  周雷峻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/76802

Abstract: 一种自对准通孔及利用由双重沟槽约束的自对准工艺形成所述通孔来制作半导体装置的方法。所述方法包括形成第一沟槽及在所述第一沟槽中沉积第一金属。此后，所述工艺包括在第一金属之上沉积介电层，使得所述介电层的顶表面处于与第一沟槽的顶表面实质上相同的水平高度。接下来，形成第二沟槽且通过蚀刻介电层的被第一沟槽与所述第二沟槽之间的重叠区暴露出的部分来形成通孔。通孔暴露出第一金属的一部分，且在第二沟槽中沉积第二金属，使得所述第二金属电耦合到所述第一金属。

公开(公告)号：CN107980170A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580080061.6

申请日：2015-06-17

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·E·罗梅罗 ,  J·J·普罗姆伯恩

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 说明了用于器件制造的通过氧化物层的原子层去除的过渡金属干法蚀刻以及所得到的器件。在示例中，一种对膜进行蚀刻的方法，包括使包含过渡金属的膜的过渡金属物质的表面层与分子氧化剂物质反应。该方法还包括去除反应后的分子氧化剂物质的挥发性碎片以提供过渡金属物质的氧化表面层。该方法还包括使过渡金属物质的氧化表面层与分子蚀刻剂反应。该方法还包括通过挥发去除过渡金属物质的反应后的氧化表面层和反应后的分子蚀刻剂。

公开(公告)号：CN104934409B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410234625.4

申请日：2014-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭兆贤 ,  郭启良 ,  李明翰 ,  李香寰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种使用减少空隙的预填充工艺形成的金属互连层及其相关联的方法。在一些实施例中，金属互连层具有设置在衬底上方的介电层。具有水平面以上的上部和水平面以下的下部的开口向下延伸穿过介电层。第一导电层填充开口的下部。上部势垒层设置在第一导电层上方以覆盖开口的上部的底面和侧壁表面。第二导电层设置在上部势垒层上方以填充开口的上部。

公开(公告)号：CN107799464A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710794636.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正宪 ,  金桢益 ,  梁明 ,  金哲性 ,  玄尚镇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L29/4236 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层，所述绝缘层中包括有第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的深宽比小于所述第一沟槽的深宽比；在第一沟槽和第二沟槽中的阻挡层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述阻挡层上的籽晶层；在籽晶层上并填充在第一沟槽中的第一体层；和在籽晶层上并填充在第二沟槽中的第二体层，其中第二体层的平均晶粒大小大于第一体层的平均晶粒大小。

公开(公告)号：CN107170707A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710131431.5

申请日：2017-03-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 张洵渊 ,  谢瑞龙 ,  夫马尔·卡米尼

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成第一导电结构的主体部分，以及在第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成第二导电结构的主体部分，并且其中第一主体金属材料与第二主体金属材料为不同材料。

公开(公告)号：CN104218025B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410233973.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  C·卡布拉尔 ,  A·小巴苏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。结构以及产生半导体结构的方法包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属‑半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属‑半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个。