公开(公告)号：CN104218025B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410233973.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  C·卡布拉尔 ,  A·小巴苏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。结构以及产生半导体结构的方法包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属‑半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属‑半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个。

公开(公告)号：CN104218025A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410233973.X

申请日：2014-05-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  C·卡布拉尔 ,  A·小巴苏

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体结构及其形成方法。结构以及产生半导体结构的方法包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属-半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属-半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个。