半导体结构及其形成方法

Invention Grant

Abstract:

本发明涉及半导体结构及其形成方法。结构以及产生半导体结构的方法包括：半绝缘半导体层；多个隔离的器件，其被形成在所述半绝缘半导体层之上；以及金属‑半导体合金区，其被形成在所述半绝缘半导体层中，其中，所述金属‑半导体合金区电连接所述隔离的器件中的两个或更多个。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/52	.用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538	..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构