公开(公告)号：CN118738062A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311813777.5

申请日：2023-12-26

申请人： 英特尔公司

发明人： S·叶梅尼乔格鲁 ,  A·A·夏尔马 ,  S·纳斯卡尔 ,  K·C·科柳鲁 ,  C-H·梁 ,  B·U·穆哈默德 ,  V·勒

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 一种集成电路装置，包括：电阻器，形成在非晶体衬底上，所述电阻器包括：栅极电极；栅极电介质，与所述栅极电极接触；源极电极和漏极电极；以及薄膜晶体管(TFT)沟道材料，耦合在所述源极电极和所述漏极电极之间。

公开(公告)号：CN116230681A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211369192.4

申请日：2022-11-03

申请人： 英特尔公司

发明人： T·青克 ,  S·维亚斯 ,  W·韩 ,  S·纳斯卡尔 ,  C·H·华莱士

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中，一种集成电路结构包括：在导电互连线之上的层间电介质(ILD)层，ILD层在其中具有沟槽，沟槽暴露导电互连线的一部分。电介质衬层沿着ILD层的顶表面并且沿着沟槽的侧壁，电介质衬层在其中具有开口，开口在导电互连线的一部分之上。导电过孔结构在沟槽中并且在电介质衬层的沿着沟槽的侧壁的部分之间，导电过孔结构具有在电介质衬层之下垂直延伸并且与导电互连线的部分接触的部分。

公开(公告)号：CN114649335A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111376013.5

申请日：2021-11-19

申请人： 英特尔公司

发明人： A·A·夏尔马 ,  N·萨托 ,  S·李 ,  S·B·克伦德宁 ,  S·纳斯卡尔 ,  M·昌德霍克 ,  H·J·允 ,  V·H·勒

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L23/64

摘要： 描述了具有多个后端双壁电容器(DWC)的集成电路(IC)结构。在示例中，第一互连层设置在衬底之上并且第二互连层设置在第一互连层之上。在示例中，多个DWC设置在第一互连层或第二互连层中以提供电容来帮助第一互连层和第二互连层向IC结构中的一个或多个装置提供电信号布线和功率分配。在示例中，IC结构包括逻辑IC或耦合衬底。

公开(公告)号：CN114664917A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111385053.6

申请日：2021-11-22

申请人： 英特尔公司

发明人： S·纳斯卡尔 ,  W·拉赫马迪 ,  H-F·李 ,  C·帕克 ,  P·瓦德瓦 ,  T·加尼 ,  M·哈桑 ,  J·林

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

摘要： 一种晶体管包括在第二沟道层上方的第一沟道层、耦合到第一沟道层和第二沟道层的第一端的外延源极结构、以及耦合到第一沟道层和第二沟道层的第二端的外延漏极结构。晶体管包括在外延源极结构与外延漏极结构之间的栅极，其中，栅极在第一沟道层之上并且在第一沟道层与第二沟道层之间。晶体管包括第一材料的第一间隔体，在第一沟道层和第二沟道层之间。第一间隔体具有在栅极与外延源极结构之间以及在栅极与外延漏极结构之间的至少一个凸面侧壁。晶体管还包括在第一沟道层之上的具有基本上垂直的侧壁的第二间隔体，该第二间隔体具有第二材料。

公开(公告)号：CN113451509A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202011552544.0

申请日：2020-12-24

申请人： 英特尔公司

发明人： S·纳斯卡尔 ,  M·昌德霍克 ,  A·A·夏尔马 ,  R·考迪罗 ,  S·B·克伦德宁 ,  林哲筠

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 本文中的实施例描述了用于包括三维电容器的半导体器件的技术。该三维电容器包括柱状物、以及堆叠在柱状物周围的一个或多个电容器单元。一个或多个电容器单元的电容器单元包括围绕并且耦合到柱状物的第一电极、围绕第一电极的电介质层、以及围绕电介质层的第二电极。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN108701645A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082948.3

申请日：2016-03-30

申请人： 英特尔公司

发明人： M·昌德霍克 ,  R·E·申克尔 ,  俞辉在 ,  K·L·林 ,  J·S·沙瓦拉 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  S·苏里 ,  C·T·卡弗 ,  S·纳斯卡尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271

摘要： 在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。