公开(公告)号：CN109997156B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201680091151.X

申请日：2016-12-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·罗伯茨 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  S·利夫 ,  J·M·斯旺 ,  R·考迪罗 ,  Z·R·约斯科维茨 ,  N·K·托马斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  H·C·乔治 ,  J·S·克拉克

IPC: G06N10/40 ,  G06N10/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18 ,  H01L29/66

Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。

公开(公告)号：CN106463478B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201480078805.6

申请日：2014-06-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·考迪罗 ,  U·阿维奇

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/18

Abstract: 本公开内容的实施例描述了包括氟化的石墨烯的层的多层石墨烯组件、包含这样的结构的管芯和系统、以及制造的方法。氟化的石墨烯向其它石墨烯层提供了绝缘界面，同时维持非氟化的石墨烯层的期望的特性。所述组件为在集成电路器件中利用石墨烯以及将石墨烯与其它材料界面接合提供新的选项。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN111886703A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980021852.X

申请日：2019-05-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： L·兰珀特 ,  R·皮拉里塞蒂 ,  N·K·托马斯 ,  H·C·乔治 ,  J·M·罗伯茨 ,  D·J·米查拉克 ,  R·考迪罗 ,  Z·R·约斯科维茨 ,  J·S·克拉克

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/15 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

Abstract: 本公开的实施例提供了实现量子点量子比特装置的自适应编程的量子电路组合件。示例量子电路组合件包括：量子电路部件，所述量子电路部件包括量子点量子比特装置；以及耦合到量子电路部件的控制逻辑。控制逻辑配置成通过迭代以下序列来自适应地对量子点量子比特装置进行编程：将一个或多个信号施加到量子点量子比特装置，确定量子点量子比特装置的至少一个量子比特的状态，以及使用所确定的状态来修改在下一迭代中要施加到量子点量子比特装置的信号。以这种方式，可以微调信号，以实现量子点量子比特装置中的（一个或多个）量子比特被设置成期望状态的更高概率。

公开(公告)号：CN106463478A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078805.6

申请日：2014-06-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·考迪罗 ,  U·阿维奇

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/18

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/044 ,  H01L23/29 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/088 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本公开内容的实施例描述了包括氟化的石墨烯的层的多层石墨烯组件、包含这样的结构的管芯和系统、以及制造的方法。氟化的石墨烯向其它石墨烯层提供了绝缘界面，同时维持非氟化的石墨烯层的期望的特性。所述组件为在集成电路器件中利用石墨烯以及将石墨烯与其它材料界面接合提供新的选项。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN114628506A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111324314.3

申请日：2021-11-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·科特利尔 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  H·C·乔治 ,  P·阿明 ,  P·H·基斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  R·考迪罗 ,  F·吕蒂 ,  J·S·克拉克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本文公开了用于量子点装置的横向栅极材料布置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆叠体；以及在量子阱堆叠体上方的栅极，其中栅极包括栅电极，栅电极包括靠近栅极的侧面的第一材料和靠近栅极的中心的第二材料，并且第一材料具有与第二材料不同的材料成分。

公开(公告)号：CN113451509A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202011552544.0

申请日：2020-12-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·纳斯卡尔 ,  M·昌德霍克 ,  A·A·夏尔马 ,  R·考迪罗 ,  S·B·克伦德宁 ,  林哲筠

IPC: H01L49/02

Abstract: 本文中的实施例描述了用于包括三维电容器的半导体器件的技术。该三维电容器包括柱状物、以及堆叠在柱状物周围的一个或多个电容器单元。一个或多个电容器单元的电容器单元包括围绕并且耦合到柱状物的第一电极、围绕第一电极的电介质层、以及围绕电介质层的第二电极。可以描述和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：CN109997156A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680091151.X

申请日：2016-12-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·罗伯茨 ,  A·A·埃尔谢尔比尼 ,  S·利夫 ,  J·M·斯旺 ,  R·考迪罗 ,  Z·R·约斯科维茨 ,  N·K·托马斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  H·C·乔治 ,  J·S·克拉克

IPC: G06N10/00 ,  H01L27/18

Abstract: 本文公开的一种超导量子位器件封装包括具有第一面和相对的第二面的管芯，以及具有第一面和相对的第二面的封装衬底。管芯包括量子器件，所述量子器件包括：在管芯的第一面上的多个超导量子位和多个谐振器，以及耦合在管芯的第一面处的导电触点与多个超导量子位中的相关联的超导量子位或多个谐振器中的相关联的谐振器之间的多个导电通路。封装衬底的第二面还包括导电触点。器件封装还包括设置在管芯的第一面与封装衬底的第二面之间的第一级互连，其将管芯的第一面处的导电触点与封装衬底的第二面处的相关联的导电触点耦合。