公开(公告)号：CN119230521A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311839425.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 沈明逸 ,  C-H·崔 ,  J·梅赫塔 ,  T·拉赫曼 ,  P·阿明 ,  J·E·米勒 ,  V·希普韦尔 ,  C·S·福格尔斯贝格尔 ,  S·F·帕特尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H05K1/11

Abstract: 讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过孔穿过该电介质结构。过孔可以包括导电部分，该导电部分沿着栅极结构的至少整个厚度在第三方向上延伸穿过电介质壁。导电部分包括直接在电介质壁上的导电衬层和在导电衬层上的导电填充物。导电衬层包括纯元素金属，诸如钨、钼、钌或镍铝合金，其中在导电衬层与电介质壁之间不存在金属氮化物或阻挡层。

公开(公告)号：CN119920800A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411358897.5

申请日：2024-09-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·阿明 ,  M·西巴科蒂 ,  B·马林科维奇 ,  T·拉赫曼 ,  C·P·普尔斯

IPC: H01L23/538

Abstract: 本公开涉及双侧导电过孔。在本文中描述一种加工方法以及关联的集成电路(IC)结构和器件，所述IC结构和器件包括一个或多个导电过孔。在一个示例中，导电过孔被从集成电路的一侧形成，并且然后，导电过孔的一部分被从与第一侧相对的IC结构的第二侧拓宽。在一个示例中，所得到的IC结构包括具有第一宽度的第一部分、具有第二宽度的第二部分和具有第三宽度的第三部分，其中第三部分位于第一部分和第二部分之间，并且第三宽度小于第一宽度和第二宽度。在一个这种示例中，导电过孔从两端朝着两端之间的第三部分逐渐变细。

公开(公告)号：CN119673913A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411150116.3

申请日：2024-08-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： B·马林科维奇 ,  B·克里格尔 ,  P·阿明 ,  D·N·鲁伊斯阿马多尔 ,  T·雅克鲁 ,  M·阿布德埃尔卡迪尔 ,  T·拉赫曼 ,  X·杨 ,  C·P·普尔斯

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: IC设备可以包括用于向IC设备中的一个或多个晶体管输送电力的一个或多个过孔。过孔可以具有一个或多个加宽端部以增加电容并减小电阻。晶体管可以包括源极区域上方的源电极和漏极区域上方的漏电极。源极区域或漏极区域可以在具有一种或多种半导体材料的支撑结构中。过孔具有主体区段和两个端部区段，主体区段在端部区段之间。一个或两个端部区段比主体区段宽，例如宽约6纳米至约12纳米。一个端部区段连接到支撑结构的背面处的互连。另一端部区段连接到跳线，该跳线连接到源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN114628506A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111324314.3

申请日：2021-11-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·科特利尔 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  H·C·乔治 ,  P·阿明 ,  P·H·基斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  R·考迪罗 ,  F·吕蒂 ,  J·S·克拉克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本文公开了用于量子点装置的横向栅极材料布置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆叠体；以及在量子阱堆叠体上方的栅极，其中栅极包括栅电极，栅电极包括靠近栅极的侧面的第一材料和靠近栅极的中心的第二材料，并且第一材料具有与第二材料不同的材料成分。