公开(公告)号：CN119230521A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202311839425.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 沈明逸 ,  C-H·崔 ,  J·梅赫塔 ,  T·拉赫曼 ,  P·阿明 ,  J·E·米勒 ,  V·希普韦尔 ,  C·S·福格尔斯贝格尔 ,  S·F·帕特尔

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088 ,  H05K1/11

Abstract: 讨论了形成低电阻过孔的技术。在示例中，给定行的半导体器件各自包括在第一方向上在对应的源极区域或漏极区域之间延伸的半导体区域，以及在第二方向上在半导体区域上方延伸的栅极结构。任何半导体器件可以由电介质结构沿着第二方向与相邻的半导体器件分离，过孔穿过该电介质结构。过孔可以包括导电部分，该导电部分沿着栅极结构的至少整个厚度在第三方向上延伸穿过电介质壁。导电部分包括直接在电介质壁上的导电衬层和在导电衬层上的导电填充物。导电衬层包括纯元素金属，诸如钨、钼、钌或镍铝合金，其中在导电衬层与电介质壁之间不存在金属氮化物或阻挡层。

公开(公告)号：CN114628506A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111324314.3

申请日：2021-11-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·科特利尔 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  H·C·乔治 ,  P·阿明 ,  P·H·基斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  R·考迪罗 ,  F·吕蒂 ,  J·S·克拉克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本文公开了用于量子点装置的横向栅极材料布置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆叠体；以及在量子阱堆叠体上方的栅极，其中栅极包括栅电极，栅电极包括靠近栅极的侧面的第一材料和靠近栅极的中心的第二材料，并且第一材料具有与第二材料不同的材料成分。