-
公开(公告)号：CN114628506A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111324314.3
申请日：2021-11-10
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本文公开了用于量子点装置的横向栅极材料布置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆叠体；以及在量子阱堆叠体上方的栅极，其中栅极包括栅电极，栅电极包括靠近栅极的侧面的第一材料和靠近栅极的中心的第二材料，并且第一材料具有与第二材料不同的材料成分。
-
公开(公告)号：CN108701645A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082948.3
申请日：2016-03-30
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/0337 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/7682 , H01L21/76843 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L21/76883 , H01L21/76885 , H01L21/76889 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L23/53209 , H01L23/53271
Abstract: 在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。
-
公开(公告)号：CN111696957A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010143694.X
申请日：2020-03-04
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/535 , H01L23/50 , H01L27/02
Abstract: 背面触点结构包括蚀刻选择性材料以促进背面触点的形成。集成电路结构包括正面触点区域，在正面触点区域下方的器件区域以及在器件区域下方的背面触点区域。器件区域包括晶体管。背面触点区域包括在晶体管的源极区域或漏极区域下方的第一电介质材料，在横向上与第一电介质材料相邻且在晶体管的栅极结构下方的第二电介质材料。非导电间隔体位于第一电介质材料和第二电介质材料之间。第一电介质材料和第二电介质材料相对于彼此和间隔体是可选择性蚀刻的。背面触点区域可以包括互连特征部，该互连特征部例如穿过第一电介质材料并接触源极/漏极区域的底面，和/或穿过第二电介质材料并接触栅极结构。
-
公开(公告)号：CN111564428A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010031587.8
申请日：2020-01-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： A·D·利拉克 , E·曼内巴赫 , A·潘 , R·申克尔 , S·A·博亚尔斯基 , W·拉赫马迪 , P·莫罗 , J·比勒费尔德 , G·杜威 , H·载允 , N·卡比尔
IPC: H01L23/535 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L27/02
Abstract: 在一些实施例中，通过使用倾斜蚀刻以去除材料从而暴露相邻导体的一部分来形成半导体器件结构。然后，在形成接触部或其它导电结构(例如，和互连)期间，在去除材料时形成的空间可以被一种或多种导电材料填充。以此方式，接触部形成还填充了空间以形成倾斜的局部互连部分，该局部互连部分连接相邻的结构(例如，源极/漏极接触部到相邻的源极/漏极接触部，源极/漏极接触部到相邻的栅极接触部，源极/漏极接触部到也连接到栅极/源极/漏极接触部的相邻器件级导体)。在其它实施例中，在本文中被称为“拼合过孔”的互连结构从导电结构的横向相邻的外围表面建立电连接，所述导电结构并不彼此同轴、同心地对准。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.026 seconds)
