公开(公告)号：CN111696957A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010143694.X

申请日：2020-03-04

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·D·利拉克 ,  E·曼内巴赫 ,  A·潘 ,  R·E·申克尔 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  W·拉赫马迪 ,  P·R·莫罗 ,  J·D·比勒费尔德 ,  G·杜威 ,  H·J·允

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/50 ,  H01L27/02

Abstract: 背面触点结构包括蚀刻选择性材料以促进背面触点的形成。集成电路结构包括正面触点区域，在正面触点区域下方的器件区域以及在器件区域下方的背面触点区域。器件区域包括晶体管。背面触点区域包括在晶体管的源极区域或漏极区域下方的第一电介质材料，在横向上与第一电介质材料相邻且在晶体管的栅极结构下方的第二电介质材料。非导电间隔体位于第一电介质材料和第二电介质材料之间。第一电介质材料和第二电介质材料相对于彼此和间隔体是可选择性蚀刻的。背面触点区域可以包括互连特征部，该互连特征部例如穿过第一电介质材料并接触源极/漏极区域的底面，和/或穿过第二电介质材料并接触栅极结构。