公开(公告)号：CN116259584A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211405248.7

申请日：2022-11-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： N·A·卡比尔 ,  J·比勒费尔德 ,  M·昌德霍克 ,  B·米勒 ,  R·弗里兰

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本文公开了在衬底的用于混合接合的表面处的氧化物和碳层。本文的实施例涉及用于对两个管芯进行混合接合的系统、设备或工艺，其中，所述管芯中的至少一者具有将受到混合接合的顶层，该顶层包括一个或多个铜焊盘和包围所述一个或多个铜焊盘的顶部氧化物层，另一包括碳原子的层位于所述氧化物层的下面。该顶部的氧化物层和位于下面的另一碳化物层可以形成从主要是氧化物的顶层的顶部直至主要是碳化物的该另一层的底部的合并梯度层。顶部氧化物层可以是通过使该碳化物层暴露至等离子体处理而形成的。可以描述其他实施例和/或主张对其的保护。

公开(公告)号：CN115527991A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210587438.9

申请日：2022-05-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·内勒 ,  J·查瓦拉 ,  M·梅茨 ,  S·金 ,  R·谢比亚姆 ,  M·科布林斯基 ,  S·克伦德宁 ,  S·李 ,  C·杰泽斯基 ,  S·丘 ,  J·比勒费尔德

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了集成电路互连结构，其包括第一金属和位于第一金属的顶表面之上的石墨烯帽。在该互连结构内，第二金属、氮或硅的量在接近石墨烯帽的界面处更大。第二金属、氮或硅的存在可以提高石墨烯与第一金属的粘合力，和/或以其他方式提高带石墨烯帽的互连结构的电迁移抗力。可以在第一金属的沉积期间或者在第一金属的沉积后处理期间将第二金属、氮或硅引入到第一金属中。可以在利用石墨烯帽盖第一金属之前或之后引入第二金属、氮或硅。

公开(公告)号：CN116171493A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180067654.4

申请日：2021-09-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·林 ,  N·佐藤 ,  T·A·特罗尼 ,  M·克里斯滕森 ,  C·J·杰泽斯基 ,  J-R·陈 ,  J·布莱克威尔 ,  M·V·梅茨 ,  M·雷肖特科 ,  N·卡比尔 ,  J·比勒费尔德 ,  M·钱多克 ,  H·J·刘 ,  E·V·卡尔波夫 ,  C·奈勒 ,  R·V·基比亚姆

IPC: H01L27/02

Abstract: IC互连结构包括减性图案化的特征。特征端可通过多个盖材料的多图案化而被定义，以获得减小的未配准。减性图案化的特征可以是与镶嵌过孔或者与减性图案化的过孔相集成的线路，或者可以是与镶嵌线路或者与减性图案化的线路相集成的过孔。减性图案化的过孔可作为平面金属层的部分被沉积并且当前随互连线路被定义。减性图案化的特征可与空气间隙隔离结构相集成。减性图案化的特征可包括底部、顶部或侧壁上的阻挡材料。减性图案化的特征的底部阻挡可采用区域选择性技术而被沉积，以便不存在于下层互连特征。减性图案化的特征的阻挡可包括特征中或籽晶层中的石墨烯或者金属的硫族化物。

公开(公告)号：CN111564428A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010031587.8

申请日：2020-01-13

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·D·利拉克 ,  E·曼内巴赫 ,  A·潘 ,  R·申克尔 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  W·拉赫马迪 ,  P·莫罗 ,  J·比勒费尔德 ,  G·杜威 ,  H·载允 ,  N·卡比尔

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02

Abstract: 在一些实施例中，通过使用倾斜蚀刻以去除材料从而暴露相邻导体的一部分来形成半导体器件结构。然后，在形成接触部或其它导电结构(例如，和互连)期间，在去除材料时形成的空间可以被一种或多种导电材料填充。以此方式，接触部形成还填充了空间以形成倾斜的局部互连部分，该局部互连部分连接相邻的结构(例如，源极/漏极接触部到相邻的源极/漏极接触部，源极/漏极接触部到相邻的栅极接触部，源极/漏极接触部到也连接到栅极/源极/漏极接触部的相邻器件级导体)。在其它实施例中，在本文中被称为“拼合过孔”的互连结构从导电结构的横向相邻的外围表面建立电连接，所述导电结构并不彼此同轴、同心地对准。