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公开(公告)号：CN110660777A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910457257.2
申请日：2019-05-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 堆叠式晶体管结构在上晶体管和下晶体管的源极/漏极区域之间具有导电互连。在一些实施例中，互连至少部分地由沉积在上晶体管的源极/漏极区域中的高掺杂外延材料提供。在这种情况下，从上晶体管的沟道区域的半导体材料的暴露部分或与上晶体管的沟道区域相邻的半导体材料的暴露部分施加外延材料，并且该外延材料向下延伸到凹陷部中，该凹陷部暴露下晶体管的源极/漏极接触部结构。外延源极/漏极材料直接接触下晶体管的源极/漏极接触部结构，以提供互连。在其他实施例中，仍然从沟道区域的暴露半导体材料或邻近沟道区域的暴露半导体材料施加外延材料且该外延材料向下延伸到凹陷部中，但无需接触下接触部结构。相反，含金属的接触部结构穿过上源极/漏极区域的外延材料并接触下晶体管的源极/漏极接触部结构。
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公开(公告)号：CN105473326B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480046634.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
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公开(公告)号：CN105473326A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480046634.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5283 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。
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公开(公告)号：CN116314118A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211473178.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 论述了与高高宽比互连相关的金属化互连结构、集成电路器件和方法。选择性地在露出下层金属化结构的开口的层间电介质侧壁上形成自组装单层。在下层金属化结构上并且仅在自组装单层的底部部分以内形成第一金属。去除所述自组装单层的露出部分并且在所述第一金属之上形成第二金属。
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公开(公告)号：CN114256198A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110980551.9
申请日：2021-08-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 集成电路互连结构包括具有底部阻挡材料的金属化线和没有底部阻挡材料的金属化过孔。在金属化线的底部处的阻挡材料可以与在金属化线的侧壁上的阻挡材料一起减轻填充金属从线的扩散或迁移。在过孔的底部处没有阻挡材料可以减小过孔电阻和/或促进可以增强互连结构的可缩放性的高电阻阻挡材料的使用。可以将多种掩模材料和图案化技术集成到双镶嵌互连工艺中，以提供阻挡材料和不受阻挡材料的负担的低电阻过孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151499A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010220559.0
申请日：2020-03-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 公开了一种互连结构。所述互连结构包括第一互连线和第二互连线。第一互连线和第二互连线是交错的。第二互连线中的各个互连与第一互连线中的各个互连横向偏移。电介质材料与第一互连线和第二互连线中的至少一个中的各个互连的至少一部分相邻。
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公开(公告)号：CN115527991A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210587438.9
申请日：2022-05-25
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 公开了集成电路互连结构，其包括第一金属和位于第一金属的顶表面之上的石墨烯帽。在该互连结构内，第二金属、氮或硅的量在接近石墨烯帽的界面处更大。第二金属、氮或硅的存在可以提高石墨烯与第一金属的粘合力，和/或以其他方式提高带石墨烯帽的互连结构的电迁移抗力。可以在第一金属的沉积期间或者在第一金属的沉积后处理期间将第二金属、氮或硅引入到第一金属中。可以在利用石墨烯帽盖第一金属之前或之后引入第二金属、氮或硅。
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公开(公告)号：CN114446932A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111150122.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 集成电路互连结构包括具有阻挡材料的互连金属化特征，该阻挡材料包括金属和硫族元素。硫族元素的引入可以在给定的阻挡材料层厚度下随着阻挡层厚度的增大而改善扩散阻挡特性。可以以最小厚度沉积阻挡材料，诸如TaN，并且在一种或多种填充材料沉积在阻挡材料之上之前或之后以硫族元素对阻挡材料进行掺杂。在热处理期间，移动的硫族元素杂质可在阻挡材料内的区域内聚集至足够高的浓度以使阻挡材料的至少一部分转换为金属硫族化物层。金属硫族化物层可以比阻挡层的其余部分具有更大的结晶度。
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公开(公告)号：CN114446872A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111170788.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 集成电路互连结构包括具有衬垫材料的互连金属化特征，所述衬垫材料在填充金属和介电材料之间具有较大的厚度，并且在填充金属和下级互连金属化特征之间具有较小的厚度。衬垫材料可实质上不存在于填充金属与下级互连金属化特征之间的界面。在过孔底部处的厚度减小的衬垫材料可以减小过孔电阻和/或便于使用可以增强互连结构的可缩放性的高阻抗衬垫材料。在一些实施例中，利用区域选择性原子层沉积工艺将衬垫材料沉积在介电表面上。对于单镶嵌实施方式，过孔和金属线两者都可以包括选择性沉积的衬垫材料。
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公开(公告)号：CN116344488A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211468094.6
申请日：2022-11-22
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L21/768 , C23C16/56 , C23C14/58 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D7/12 , C23C8/08 , C23C8/28 , C23C8/80
Abstract: 包括经受一种或多种硫属化技术以形成盖的互连线金属化特征的集成电路互连结构可以减小线电阻。块体线材料的顶部部分可以有利地结晶成具有特别大的晶体结构的金属硫属化物盖。因此，块体材料的顶部部分的硫属化可相对于块体材料用替代材料(例如非晶电介质或细晶粒金属或石墨材料)覆盖的替代方案降低了互连线的散射电阻。
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