-
公开(公告)号：CN116314118A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211473178.9
申请日：2022-11-21
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 论述了与高高宽比互连相关的金属化互连结构、集成电路器件和方法。选择性地在露出下层金属化结构的开口的层间电介质侧壁上形成自组装单层。在下层金属化结构上并且仅在自组装单层的底部部分以内形成第一金属。去除所述自组装单层的露出部分并且在所述第一金属之上形成第二金属。
Search Results
1
records
(took 0.043 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
