公开(公告)号：CN115527991A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210587438.9

申请日：2022-05-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·内勒 ,  J·查瓦拉 ,  M·梅茨 ,  S·金 ,  R·谢比亚姆 ,  M·科布林斯基 ,  S·克伦德宁 ,  S·李 ,  C·杰泽斯基 ,  S·丘 ,  J·比勒费尔德

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了集成电路互连结构，其包括第一金属和位于第一金属的顶表面之上的石墨烯帽。在该互连结构内，第二金属、氮或硅的量在接近石墨烯帽的界面处更大。第二金属、氮或硅的存在可以提高石墨烯与第一金属的粘合力，和/或以其他方式提高带石墨烯帽的互连结构的电迁移抗力。可以在第一金属的沉积期间或者在第一金属的沉积后处理期间将第二金属、氮或硅引入到第一金属中。可以在利用石墨烯帽盖第一金属之前或之后引入第二金属、氮或硅。