公开(公告)号：CN108701645A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082948.3

申请日：2016-03-30

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·昌德霍克 ,  R·E·申克尔 ,  俞辉在 ,  K·L·林 ,  J·S·沙瓦拉 ,  S·A·博亚尔斯基 ,  S·苏里 ,  C·T·卡弗 ,  S·纳斯卡尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53271

Abstract: 在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。

公开(公告)号：CN114649297A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111373889.4

申请日：2021-11-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗 ,  K·L·林 ,  M·科布林斯基

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开的实施例属于集成电路结构制造的领域。在示例中，一种集成电路结构包括在衬底上方的多条导电互连线，导电互连线中的各条导电互连线具有顶部和侧壁。蚀刻停止层在导电互连线中的各条导电互连线的顶部上并且沿着导电互连线中的各条导电互连线的整个侧壁。

公开(公告)号：CN107924831B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201580082611.8

申请日：2015-09-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： I-S·孙 ,  C·T·卡弗 ,  P·B·菲舍尔 ,  P·莫罗 ,  K·俊

IPC: H01L21/304

Abstract: 本公开的实施例描述用于显露集成电路(IC)器件的背侧和相关配置的技术。IC器件可以包括在半导体衬底(例如硅衬底)上形成的多个鳍状物，且隔离氧化物可以沿着IC器件的背侧设置在鳍状物之间。半导体衬底的一部分可以被去除以留下剩余部分。可以通过机械研磨去除半导体衬底的第一部分。可以通过湿法蚀刻去除半导体衬底的第二部分以留下剩余部分。可以通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除半导体衬底的剩余部分以显露IC器件的背侧。可以描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN106068549A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580002697.9

申请日：2015-02-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53209 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN114361132A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210020138.2

申请日：2015-02-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN108615703A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810250435.X

申请日：2014-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·昌德霍克 ,  俞辉在 ,  C·杰泽斯基 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。

公开(公告)号：CN106068549B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201580002697.9

申请日：2015-02-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  T·K·因杜库里 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN105473326B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201480046634.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·昌德霍克 ,  俞辉在 ,  C·杰泽斯基 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: B32B3/30 ,  B32B15/00

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。

公开(公告)号：CN107924831A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082611.8

申请日：2015-09-24

Applicant: 英特尔公司

Inventor： I-S·孙 ,  C·T·卡弗 ,  P·B·菲舍尔 ,  P·莫罗 ,  K·俊

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649

Abstract: 本公开的实施例描述用于显露集成电路(IC)器件的背侧和相关配置的技术。IC器件可以包括在半导体衬底(例如硅衬底)上形成的多个鳍状物，且隔离氧化物可以沿着IC器件的背侧设置在鳍状物之间。半导体衬底的一部分可以被去除以留下剩余部分。可以通过机械研磨去除半导体衬底的第一部分。可以通过湿法蚀刻去除半导体衬底的第二部分以留下剩余部分。可以通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除半导体衬底的剩余部分以显露IC器件的背侧。可以描述和/或主张其它实施例。

公开(公告)号：CN105473326A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046634.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·昌德霍克 ,  俞辉在 ,  C·杰泽斯基 ,  R·V·谢比亚姆 ,  C·T·卡弗

IPC: B32B3/30 ,  B32B15/00

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括全包覆互连体的金属化层和一种形成全包覆互连体的方法。开口形成在电介质层中，其中，所述电介质层具有表面，并且所述开口包括壁和底部。扩散阻挡层和粘合层沉积在所述电介质层上。互连材料沉积在所述电介质层上并且回流到所述开口中，形成互连体。粘合帽盖层和扩散阻挡帽盖层沉积在所述互连体之上。所述互连体被所述粘合层和所述粘合帽盖层环绕，并且所述粘合层和所述粘合帽盖层被所述扩散阻挡层和所述扩散阻挡帽盖层环绕。